[发明专利]像素结构

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

一扫描线以及一数据线；

一主动元件，其与该扫描线以及该数据线电性连接；

一像素电极，其与该主动元件电性连接；

一电容电极线，位于该像素电极的下方，其中该电容电极线与该像素电极构成一第一储存电容器，且该第一储存电容器具有一第一储存电容值；

一半导体图案层，位于该电容电极线与该像素电极之间，其中该像素电极与该半导体图案层电性连接，该半导体图案层与该电容电极线构成一第二储存电容器，且该第二储存电容器具有一第二储存电容值；以及

至少一介电层，位于该电容电极线与该像素电极之间，且位于该半导体图案层与该电容电极线之间，

其中该第一储存电容值与该第二储存电容值的加总为一总储存电容值，且该第二储存电容值占该总储存电容值的30％～80％。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该至少一介电层包括：

一第一介电层，位于该半导体图案层与该电容电极线之间；以及

一第二介电层，覆盖该第一介电层以及该半导体图案层，其中该像素电极与该电容电极线之间夹有该第一介电层以及该第二介电层。

3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，该第二介电层中具有一接触窗，以电性连接该像素电极以及该半导体图案层。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包括一储存电极图案层，位于该像素电极与该电容电极线之间，其中该储存电极图案层与该像素电极电性连接。

5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，该储存电极图案层与该电容电极线构成一第三储存电容器，该第三储存电容具有一第三储存电容值，且该总储存电容值为该第一储存电容值、该第二储存电容值以及该第三储存电容值的加总。

6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该至少一介电层包括：

一第一介电层，位于该半导体图案层与该电容电极线之间；以及

一第二介电层，覆盖该第一介电层以及该储存电极图案层，

其中该像素电极与该电容电极线之间夹有该第一介电层以及该第二介电层，且

该储存电极图案层与该电容电极线之间夹有该第一介电层。

7.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，该储存电极图案层覆盖该半导体图案层。

8.根据权利要求7所述的像素结构，其特征在于，该第二介电层中具有一接触窗，以电性连接该像素电极以及该储存电极图案层。

9.根据权利要求7所述的像素结构，其特征在于，该半导体图案层的面积小于该储存电极图案层的面积。

10.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，该储存电极图案层与该半导体图案层不重叠，且该储存电极图案层与该半导体图案层与该像素电极电性连接。

11.根据权利要求10所述的像素结构，其特征在于，该第二介电层中具有一第一接触窗以及一第二接触窗，该第一接触窗电性连接该储存电极图案层与该像素电极，该第二接触窗电性连接该储存半导体图案层与该像素电极。

12.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该主动元件具有一栅极、一源极与一漏极，该栅极电性连接该扫描线，该源极电性连接该数据线，且该漏极电性连接该像素电极。