[发明专利]像素结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种像素结构，且特别是有关于一种平面显示器的像素结构。

背景技术

平面显示器的残影现象即是前一静态画面的影像或轮廓出现在后续的画面中。也就是当平面显示器显示一静态画面持续一段长时间之后，在显示下一画面时会在此画面出现前一静态画面所留下来影像或轮廓。

目前平面显示器例如是液晶显示器在出厂之前都会进行残影测试。而一般残影测试的方法是在显示面板上显示棋盘格状的黑白图案一段长时间之后，接着切换成中间灰阶的全画面。倘若在中间灰阶的全画面上仍可看到上一个盘格状的黑白图案的残影的话，表示此平面显示器的残影现象较严重。相反地，倘若在中间灰阶的全画面上已经看不到上一个盘格状的黑白图案的残影的话，表示此平面显示器的残影问题不严重或是没有残影现象。

而对于会有残影现象的平面显示器，如果能够以补偿方式或是其他方式来降低残影现象的话，则可以提升平面显示器的成品率以及显示品质。

发明内容

本发明提供一种像素结构，其可以补偿平面显示器的残影现象所造成的亮度差异，特别是常黑(Normally Black)的趋动方式的平面显示器，进而降低平面显示器的表面残影(surface type image sticking)问题。

本发明提出一种像素结构，其包括一扫描线、一数据线、一主动元件、一像素电极、一电容电极线、一半导体图案层以及至少一介电层。主动元件与扫描线以及数据线电性连接。像素电极与主动元件电性连接。电容电极线位于像素电极的下方，其中电容电极线与像素电极构成一第一储存电容器，且第一储存电容器具有一第一储存电容值。半导体图案层位于电容电极线与像素电极之间，其中像素电极与半导体图案层电性连接，半导体图案层与电容电极线构成一第二储存电容器，且第二储存电容器具有一第二储存电容值。至少一介电层位于电容电极线与像素电极之间，且位于半导体图案层与电容电极线之间。特别是，第一储存电容值与第二储存电容值的加总为一总储存电容值，且第二储存电容值占总储存电容值的30％～80％。

本发明另提出一种像素结构，其包括一扫描线、一数据线、一主动元件、一像素电极、一电容电极线、一半导体图案层、一参考电极图案层、至少一介电层以及一参考电极线。主动元件与扫描线以及数据线电性连接。像素电极与主动元件电性连接。电容电极线位于像素电极的下方，其中电容电极线与像素电极构成一第一储存电容器，第一储存电容器具有第一储存电容值。半导体图案层位于电容电极线与像素电极之间，其中像素电极与半导体图案层电性绝缘，半导体图案层与电容电极线构成一第二储存电容器，且第二储存电容器具有一第二储存电容值。参考电极图案层位于像素电极与半导体图案层之间，其中参考电极图案层与像素电极电性绝缘，参考电极图案层与像素电极构成一第三储存电容器，且第三储存电容器具有一第三储存电容值。至少一介电层位于电容电极线与像素电极之间，位于半导体图案层与电容电极线之间，以及位于参考电极图案层与像素电极之间。参考电极线与参考电极图案层电性连接。特别是，第一储存电容值、第二储存电容值以及第三储存电容值的加总为一总储存电容值，且第二储存电容值占该总储存电容值的30％～80％。

基于上述，本发明在像素结构中设置半导体图案层，以使半导体图案层与电容电极线构成储存电容器。由于半导体材料在不同频率以及不同电压的操作条件下会使储存电容器的储存电容值产生变化。因此，在像素结构中，具有半导体图案层的储存电容器的储存电容值占总储存电容值特定比例，可以达到补偿平面显示器的残影现象所造成的亮度差异的目的，进而降低平面显示器的表面残影问题。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

图1A是依据本发明一实施例的像素结构的俯视示意图；

图1B是图1A沿着剖面线A-A’的剖面示意图；

图2A是依据本发明一实施例的像素结构的俯视示意图；

图2B是图2A沿着剖面线B-B’的剖面示意图；

图3A是依据本发明一实施例的像素结构的俯视示意图；

图3B是图3A沿着剖面线E-E’与剖面线F-F’的剖面示意图；

图4A是依据本发明一实施例的像素结构的俯视示意图；

图4B是图4A沿着剖面线C-C’与剖面线D-D’的剖面示意图；

图5A是依据本发明一实施例的像素结构的俯视示意图；

图5B是图5A沿着剖面线C-C’与剖面线D-D’的剖面示意图；

图6A是依据本发明一实施例的像素结构的俯视示意图；