[发明专利]光学材料的内部状态的检查方法以及光学元件的制造方法无效

专利信息
申请号: 201010541865.0 申请日: 2010-11-01
公开(公告)号: CN102053094A 公开(公告)日: 2011-05-11
发明(设计)人: 金光康中;梅木修 申请(专利权)人: 株式会社小原
主分类号: G01N21/958 分类号: G01N21/958
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫
地址: 日本神奈川县相模原*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光学材料 内部 状态 检查 方法 以及 光学 元件 制造
【权利要求书】:

1.一种检查光学材料的内部状态的检查方法,该检查方法包括以下工序:

向光学材料照射漫射光,基于透射该光学材料的透射光,来检查所述光学材料的内部状态。

2.如权利要求1所述的检查方法,其包括将所述透射光用会聚透镜进行会聚,然后基于在成像透镜中所成的像,来检查所述光学材料的内部状态的工序。

3.如权利要求2所述的检查方法,其进一步包括对所述会聚透镜和所述成像透镜中的至少一方的形态进行调节的工序。

4.如权利要求3所述的检查方法,其中,所述形态的调节是不改变所述会聚透镜和所述成像透镜相对于所述光学材料的位置来进行的。

5.如权利要求4所述的检查方法,其中,所述会聚透镜具有平面凸透镜。

6.如权利要求2所述的检查方法,其中,所述会聚透镜具有45mm以上的有效直径。

7.如权利要求2所述的检查方法,其中,所述成像透镜是凹凸透镜。

8.如权利要求1所述的检查方法,其中,所述光学材料的内部状态的检查,是通过将会聚的透射光转换为电子信号来进行的。

9.如权利要求8所述的检查方法,其中,向所述电子信号的转换是采用CMOS来进行的。

10.如权利要求1所述的检查方法,其进一步包括对所述光学材料的形态和高度进行调节的工序。

11.如权利要求10所述的检查方法,其中,所述光学材料的形态的调节,是通过使用载置有所述光学材料且具有局部球面形状的抵接面的载置台、和具有与所述抵接面对称的形状且具有能够与所述抵接面磁性连接的被抵接面的连接部件,使所述抵接面和所述被抵接面以磁性连接状态进行滑动来调节的。

12.如权利要求1所述的检查方法,所述光学材料的内部状态是含有脉纹的程度。

13.一种光学元件的制造方法,其包括以下工序:使用如权利要求1至12中任一项所述的检查方法,对作为光学元件的候补体的光学材料的内部状态进行检查,根据该内部状态满足特定基准,来从所述候补体中挑选光学元件。

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