[发明专利]三氯硅烷合成装置及方法

权利要求书

1.一种三氯硅烷合成装置，包括氯化氢气体进气口、氯化氢气体缓冲室、氯化氢气体分配板、氯化氢与硅粉反应的反应室、硅粉加料口、硅粉和气体进行分离的气-固分离室及反应气体取出口，其特征在于在硅粉的加料口下方设有硅粉分配器，在气-固分离室设有硅粉阻挡器，在气-固分离室顶部设有吹气管。

2.如权利要求1所述的三氯硅烷合成装置，其特征在于硅粉分配器包括有直径为10~20mm通孔的锥面部件和固定所述锥面部件的加固环；所述的锥面为圆锥面，其锥顶角度为70度~120度；所述硅粉分配器被安装在三氯硅烷合成装置反应室的硅粉进料口的下方，其锥顶朝上。

3.如权利要求2所述的三氯硅烷合成装置，其特征在于硅粉分配器的圆锥面锥底直径小于三氯硅烷合成装置反应室内径约10~30cm。

4.如权利要求2所述的三氯硅烷合成装置，其特征在于硅粉分配器是用不锈钢制造的。

5.一种如权利要求1所述三氯硅烷合成装置，其特征在于所述的硅粉阻挡器为筛网式阻挡器，包括：筛网线、由筛网线编织组成的10~20×10~20 mm方形孔、加固环、用加固环加固的筛网和将多层所述的筛网加固环连接的支柱。

6.一种如权利要求1所述的三氯硅烷合成装置，其特征在于所述的硅粉阻挡器为栅板式阻挡器，包括：栅板条、由栅板条焊接组成的有10~30×10~30 mm方形孔、加固环、用加固环加固的栅板和将多层所述的栅板加固环连接的支柱。

7.一种如权利要求1所述的三氯硅烷合成装置，其特征在于所述的硅粉阻挡器为板式阻挡器，包括：有孔径为10~20mm的通孔的金属板、加固环和将多层所述的金属板加固环连接的支柱。

8.如权利要求1所述的三氯硅烷合成装置，其特征在于硅粉阻挡器是用不锈钢制造的。

9.如权利要求5~7所述的三氯硅烷合成装置，其中任一项所述的硅粉阻挡器层间距离为4~20cm。

10.如权利要求5~7所述的三氯硅烷合成装置，其中任一项所述的硅粉阻挡器均被安装在三氯硅烷合成装置反应室上部的扩径部的上部气-固分离室中，在所述气-固分离室顶部的吹气管下方。

11.一种三氯硅烷的合成方法，包括以下步骤：

将硅粉导入反应室，经过硅粉分配器，同时将氯化氢气体导入反应室，使上升的氯化氢气体与下落的硅粉接触发生反应；

反应后的气体和未反应的硅粉随着气流上升到气-固分离室，部分硅粉沉降或吸附在硅粉阻挡器上；

将通过气-固分离室后的气体及部分硅粉从气体取出口取出；

在氯化氢和硅粉反应过程中，定期地停止硅粉加料，通过吹气管用高压气体向硅粉阻挡器吹气，使硅粉阻挡器上和气固分离室壁上的硅粉下落到反应室里与氯化氢气体进行反应。