[发明专利]熔丝编程电路和存储器位单元，及由其组成的集成电路和其操作方法

权利要求书

1.一种存储器位单元，其包括：

一具有一感应节点的锁存电路；

一具有一熔丝的熔丝编程电路，所述熔丝具有一连接至一编程电压的第一端子；

一具有不多于一个晶体管的熔丝感应电路，所述熔丝感应电路具有一连接至所述感应节点且于所述熔丝的一第二端子处连接至所述熔丝的单个感应晶体管；及

一具有一箝位晶体管的箝位电路，所述箝位晶体管于所述熔丝的所述第一端子处连接至所述熔丝且连接至所述编程电压。

2.如权利要求1所述的存储器位单元，其中：

当所述单个感应晶体管及所述箝位晶体管接通时，给所述感应节点上的一预充电提供一经过所述熔丝的接地路径；

当所述熔丝处于一熔断状态时，所述感应节点保持高；及

当所述熔丝处于一未熔断状态时，所述感应节点变低。

3.如权利要求1所述的存储器位单元，其中：

当所述熔丝感应电路操作时，一对应于所述熔丝的一状态的逻辑值出现在所述锁存器的一锁存器输出处。

4.如权利要求1所述的存储器位单元，其进一步包括：

一连接至所述熔丝的所述第二端子的编程晶体管，当所述熔丝感应电路操作时所述编程晶体管被关断。

5.如权利要求1所述的存储器位单元，其进一步包括：

一编程晶体管，其具有一连接至所述熔丝的所述第二端子的漏极，以使所述编程晶体管的所述漏极电压与所述编程电压相同；及

所述编程晶体管以与所述编程电压相同的栅极电压操作以使所述编程晶体管的所述栅极电压与所述漏极电压相同，且当编程所述熔丝时所述编程晶体管于其有效饱和区域内操作。

6.如权利要求1所述的存储器位单元，其进一步包括：

一具有一约24微米的宽度的编程晶体管。