[发明专利]树脂密封用粘合带及树脂密封型半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种用于制造树脂密封型半导体装置的树脂密封用粘合带，其特征在于，所述树脂密封用粘合带具有基材层和在该基材层上层叠的粘合剂层，所述基材层与粘合剂层的总膜厚为25～40μm。

2.根据权利要求1所述的粘合带，其中，所述粘合剂层的厚度为2μm～25μm。

3.根据权利要求1或2所述的粘合带，所述粘合带用于在将搭载于引线框表面的半导体芯片进行树脂密封时贴附于所述引线框的至少一个面上且在密封之后剥离该粘合带。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的粘合带，其中，所述粘合剂层仅层叠在所述基材层的一个面上。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的粘合带，其还具有与粘合剂层接触的剥离片，并且，所述剥离片

在剥离角度为90±15°时的剥离强度为1.5N/50mm宽度以下、

在剥离角度为120±15°时的剥离强度为1.2N/50mm宽度以下、

在剥离角度为150±15°时的剥离强度为1.0N/50mm宽度以下、或者

在剥离角度为180+0°～180-15°时的剥离强度为1.0N/50mm宽度以下。

6.一种树脂密封型半导体装置的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括下述工序：

将根据权利要求1～5中任一项所述的粘合带贴附于引线框的至少一个面；

在所述引线框上搭载半导体芯片；

通过密封树脂密封该半导体芯片侧；

在密封后剥离所述粘合带。

7.根据权利要求6所述的树脂密封型半导体装置的制造方法，其通过具有0.8～2.0Pa·s的粘度的密封树脂来进行所述密封。

8.根据权利要求6或7所述的树脂密封型半导体装置的制造方法，其通过在160～190℃的树脂注射温度下的注射成型来进行所述密封。

9.根据权利要求6～8中任一项所述的树脂密封型半导体装置的制造方法，其通过在150～220kN的树脂注射压力下的注射成型来进行所述密封。

10.根据权利要求6～9中任一项所述的树脂密封型半导体装置的制造方法，其在3～7kN的模具夹紧压力下进行所述密封。

11.根据权利要求6～10中任一项所述的树脂密封型半导体装置的制造方法，进一步在从粘合带的贴附到树脂密封为止的期间，从引线框侧隔着该引线框对粘合带进行辐射线照射。