[发明专利]树脂密封用粘合带及树脂密封型半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及树脂密封用粘合带以及使用其的树脂密封型半导体装置的制造方法。

背景技术

近年来，在LSI安装技术中，CSP(芯片尺寸封装)技术受到了关注。在该技术中，以QFN(方形扁平无引线封装)为代表的、使引线端子纳入封装内部的形态的封装在小型化和高集成化方面特别受到关注。

在这种QFN中，能够飞跃性提高引线框每单位面积的生产率的制造方法特别受到关注。作为该方法，可列举出包括以下工序的制造方法：将多个QFN用芯片排列于引线框的裸芯片连接盘(die pad)上，在模具的模腔内用密封树脂一起密封，此后，通过切断，分割为单个的QFN结构物。

在这种一起密封多个半导体芯片的QFN的制造方法中，树脂密封时的由塑封模具夹紧的引线框区域仅仅是完全包覆封装图案区域的树脂密封区域外侧的一部分。因此封装图案区域，尤其在其中央部不能将压引线框背面以充分的压力按压在塑封模具上、非常难以防止密封树脂漏出到引线框背面侧、容易出现QFN的端子等被树脂包覆的问题。

因此，针对这种QFN的制造方法，将粘合带贴附于引线框的背面侧、通过利用该粘合带的自粘性(遮蔽)的密封效果，从而防止树脂密封时树脂漏出到引线框背面侧的制造方法是有效的。

即，在半导体芯片搭载于引线框上后或者在实施引线接合之后将耐热性粘合带贴合于引线框背面，这从处理方面来看实质上是困难的，因此，理想的是，首先，将耐热性粘合带贴合于引线框的背面侧，此后，经过半导体芯片的搭载和引线接合，利用密封树脂进行密封，然后剥离耐热性粘合带。

作为这种方法，已经提出了下述方法：使用具有厚度10μm以下的粘合剂层的耐热性粘合带，在防止树脂漏出的同时，实施引线接合等一系列工序(例如专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-184801号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在现有的半导体装置的制造方法中，在利用密封树脂的密封工序中，根据贴合有耐热性粘合带的引线框的精度、模具，尤其下模具的设计，有可能在它们之间存在间隙。

在这种情况下，由于在引线框与下模具之间产生的间隙，在耐热性粘合带与引线框架之间发生树脂漏出，或者，不能很好地夹紧塑封部分的外周部而发生树脂漏出。

本发明是鉴于所述问题而做出的，其目的是提供能够在树脂密封时有效防止树脂漏出的树脂密封用粘合带以及使用该粘合带的树脂密封型半导体装置的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明的用于制造树脂密封型半导体装置的树脂密封用粘合带特征在于具有基材层和在该基材层上层叠的粘合剂层，所述基材层与粘合剂层的总膜厚为25～40μm。

这种粘合带的所述粘合剂层的厚度优选为2μm～25μm。

该粘合带优选用于在将搭载于引线框表面的半导体芯片进行树脂密封时贴附于所述引线框的至少一个面上，且在密封之后剥离。

所述粘合剂层优选仅层叠在所述基材层的一个面上。

该粘合带还优选具有与粘合剂层接触的剥离片，且该剥离片在剥离角度为90±15°时的剥离强度为1.5N/50mm宽度以下，在剥离角度为120±15°时的剥离强度为1.2N/50mm宽度以下，在剥离角度为150±15°时的剥离强度为1.0N/50mm宽度以下，或者在剥离角度为180+0°～180-15°时的剥离强度为1.0N/50mm宽度以下。

本发明的树脂密封型半导体装置的制造方法特征在于包括下述工序：将所述的粘合带贴附于引线框的至少一个面；在所述引线框上搭载半导体芯片；通过密封树脂密封该半导体芯片侧，在密封后剥离所述粘合带。

在这种方法中，优选的是，用具有0.8～2.0Pa·s粘度的密封树脂来进行所述密封、或者通过在160～190℃的树脂注射温度下的注射成型来进行所述密封、或者通过在150～220kN的树脂注射压力下的注射成型来进行所述密封、和/或在3～7kN的模具夹紧压力下进行所述密封。

进而优选的是，从粘合带的贴附到树脂密封为止的期间从引线框侧隔着该引线框对粘合带进行辐射线照射。

发明的效果

根据本发明的树脂密封用粘合带，可有效地防止树脂密封时的树脂漏出。