[发明专利]浅沟槽隔离结构形成方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构形成方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有边缘区域和中心区域；

其特征在于，还包括：在所述半导体衬底表面形成衬垫氧化层，位于中心区域与位于边缘区域的所述衬垫氧化层具有厚度差；

在所述衬垫氧化层表面形成刻蚀停止层，位于中心区域与位于边缘区域的所述刻蚀停止层的厚度差与位于中心区域与位于边缘区域的衬垫氧化层的厚度差互补；

形成位于衬底内且贯穿所述刻蚀停止层、所述衬垫氧化层的浅沟槽；

形成位于所述刻蚀停止层表面且填充满所述浅沟槽的介质层；

平坦化所述介质层直至暴露出刻蚀停止层。

2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述衬垫氧化层材料为氧化硅。

3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述衬垫氧化层的形成设备为快速退火炉或者原位蒸流反应设备。

4.如权利要求3所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述快速退火炉或者原位蒸流反应设备具有控制半导体衬底表面温度分布的功能。

5.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，当采用快速退火炉形成衬垫氧化层时，反应参数为：快速退火炉温度为700度至1200度，反应气体为O₂，O₂为0.1SLM至50SLM，快速退火炉腔室压力为10Torr至780Torr。

6.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，当采用原位蒸流反应设备形成衬垫氧化层时，反应参数为：原位蒸流反应设备温度为700度至1200度，反应气体为H₂与O₂的混合气体，H₂与O₂的混合气体流量为0.1SLM至50SLM，原位蒸流反应腔室压力为0.1Torr至100Torr；或者反应参数为：原位蒸流反应温度为700度至1200度，反应气体为H₂与N₂O的混合气体，H₂与N₂O的混合气体流量为0.1SLM至50SLM，原位蒸流反应腔室压力为0.1Torr至100Torr。

7.如权利要求4、5或者6所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，在位于边缘区域的衬垫氧化层厚度大于中心区域的衬垫氧化层的情况下，位于边缘区域的半导体衬底温度高于中心区域的半导体衬底；在位于边缘区域的衬垫氧化层厚度小于中心区域的衬垫氧化层的情况下，位于边缘区域的半导体衬底温度低于中心区域的半导体衬底。

8.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，还包括：去除所述刻蚀停止层和所述衬垫氧化层。