[发明专利]发光器件、发光器件封装、制造发光器件的方法和照明系统

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

第一光提取结构，所述第一光提取结构包括反射层和图案；

所述第一光提取结构上的欧姆层；

所述欧姆层上的第二导电类型半导体层；

所述第二导电类型半导体层上的有源层；以及

所述有源层上的第一导电类型半导体层，

其中所述图案的折射率高于空气的折射率并且低于所述第二导电类型半导体层的折射率。

2.根据权利要求1所述的发光器件，包括所述反射层下方的第二电极层和所述第一导电类型半导体层上的第一电极层。

3.根据权利要求1所述的发光器件，包括所述第一导电类型半导体层上的未掺杂的半导体层。

4.根据权利要求3所述的发光器件，包括形成在所述未掺杂的半导体层上的第二光提取结构。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述欧姆层由用于与所述第二导电类型半导体层欧姆接触的材料形成。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述欧姆层包括从由Ni、Pt、Cr、Ti、ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IrOx以及RuOx组成的组中选择的至少一个。

7.根据权利要求5所述的发光器件，其中当所述欧姆层由金属材料形成时，所述欧姆层的厚度是1nm至30nm。

8.根据权利要求5所述的发光器件，其中当所述欧姆层由非金属材料形成时，所述欧姆层的厚度是10nm至300nm。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述图案的底部和侧面由所述反射层包围。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述图案由半透明电极形成。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述图案由电介质形成。

12.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述图案的周期处于200nm至600nm的范围。

13.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述图案的折射率小于所述欧姆层的折射率。

14.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述图案由从由MgF₂、SOG、SiO₂、MgF₂、TiO₂、Al₂O₃、Si₃N₄、ITO、ZnO、GZO、RuOx以及IrOx组成的组中选择的至少一个形成。

15.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述图案的折射率处于1.1和2.0之间的范围。

16.一种制造发光器件的方法，所述方法包括：

形成第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层；

在所述第二导电类型半导体层上形成欧姆层；

形成包括反射层和图案的第一光提取结构，其中所述图案的折射率高于空气的折射率并且低于所述第二导电类型半导体层的折射率。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述图案的形成包括：

在所述欧姆层上形成非金属层；和

构图所述非金属层。

18.根据权利要求17所述的方法，其中形成所述图案包括折射率小于所述欧姆层的折射率的材料。

19.一种发光器件封装，包括：

封装主体；

第一电极层和第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层被安装在所述封装主体处；以及

权利要求1所述的发光器件，所述发光器件被电气地连接到所述第一电极层和所述第二电极层。

20.一种照明系统，包括：

基板；和

发光模块，所述发光模块包括被安装在所述基板处的权利要求1所述的发光器件。

21.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述图案是由所述欧姆层形成的。

22.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述图案在所述反射层中形成为孔或者凹陷。

23.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述图案是非金属的。

24.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述图案位于所述反射层上。