[发明专利]发光器件、发光器件封装、制造发光器件的方法和照明系统

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2010年2月23日提交的韩国专利申请No.10-2010-0016044的优先权，在此通过引用整体合并在此用于全部目的，好像在此进行了完全的阐述一样。

技术领域

发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。

背景技术

通过LED发射的光的波长可以根据半导体材料而变化。这是因为发射的光的波长由表示价带的电子和导带的电子之间的能量差的半导体材料的带隙来确定。

最近，已经积极地进行用于提高LED的亮度的研究。结果，现在LED被用作用于显示器、汽车以及普通照明的各种光源。此外，可以实现通过使用荧光材料或者组合各种颜色的LED来有效地发射优异的白光的LED。

发明内容

实施例提供具有新的结构的发光器件、发光器件封装、发光器件制造方法、以及照明系统。

实施例还提供具有改进的光提取效率的发光器件、发光器件封装、发光器件制造方法、以及照明系统。

在一个实施例中，发光器件包括：第一光提取结构，该第一光提取结构包括反射层和图案；第一光提取结构上的欧姆层；欧姆层上的第二导电类型半导体层；第二导电类型半导体层上的有源层；以及有源层上的第一导电类型半导体层，其中所述图案的折射率高于空气的折射率并且低于第二导电类型半导体层的折射率。

在另一实施例中，一种制造发光器件的方法，包括：形成第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层；在第二导电类型半导体层上形成欧姆层；形成包括反射层和图案的第一光提取结构，其中图案的折射率高于空气的折射率并且低于第二导电类型半导体层的折射率。

此外，在另一实施例中，发光器件封装包括：封装主体；被安装在封装主体处的第一电极层和第二电极层；以及发光器件，该发光器件被电气地连接到第一电极层和第二电极层。

在又一实施例中，一种照明系统，包括：基板；和发光模块，该发光模块包括被安装在基板处的发光器件。

在附图和下面的描述中阐述一个或者多个实施例的详情。从说明书和附图，以及从权利要求中，其它的特征将变得显而易见。

附图说明

图1是根据第一实施例的发光器件的截面图。

图2是示出根据图案的折射率的发光器件的反射率的变化的图。

图3是示出根据图案的折射率的发光器件的光提取效率的变化的图。

图4和图5是从顶部看的光提取结构的平面图。

图6至图11是示出制造根据第一实施例的发光器件的方法的视图。

图12是示出根据第二实施例的发光器件的视图。

图13是示出根据第三实施例的发光器件的视图。

图14是包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的截面图。

图15是示出使用根据实施例的发光器件封装的背光单元的视图。

图16是使用根据实施例的发光器件封装的照明单元的透视图。

具体实施方式

现在将会详细地参考本公开的实施例，在附图中示出其示例。在下面的描述中，将理解的是，当层(或膜)被称为在另一层或者基板上时，它能够直接在另一层或者基板上，或者也可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接在另一层下，并且也可以存在一个或者多个中间层。另外，还将会理解的是，当层被称为在两个层“之间”时，它能够是两个层之间的唯一的层，或者也可以存在一个或者多个中间层。

在附图中，为了示出的清楚，层和区域的尺寸被夸大。另外，每部分的尺寸没有反映真实尺寸。

在下文中，参考附图，将会描述发光器件、制造发光器件的方法、以及发光器件封装。

图1是根据第一实施例的发光器件的截面图。

参考图1，根据第一实施例的发光器件包括第二电极层10、第二电极层10上的反射层20、反射层20上的图案80、反射层20和图案80上的欧姆层25、欧姆层25上的第二导电类型半导体层30、第二导电类型半导体层30上的有源层40、有源层40上的第一导电类型半导体层50、以及第一导电类型半导体层50上的第一电极层70。

另外，未掺杂的半导体层60可以形成在第一导电类型半导体层50上。

更加详细地，可以利用被注入有Cu、Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Mo、Au、W、或者杂质的半导体基板(例如，Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、SiGe、GaN)中的至少一个形成第二电极层10。和第一电极层70一起，第二电极层10可以将电力提供到有源层40。