[发明专利]液晶显示器的像素结构及其制作方法有效
申请号: | 201010547159.7 | 申请日: | 2010-11-16 |
公开(公告)号: | CN102466933A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 秦丹丹 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1333;H01L21/02;H01L21/82 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 201108 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示器 像素 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种液晶显示器的像素结构,其特征在于,包括:
基板;
设置于所述基板上的第一层导电层图案,所述第一层导电层图案包括栅极扫描线、公共电极线和浮置遮光线,其中公共电极线仅沿平行于该栅极扫描线的方向形成;
设置于所述第一层导电层图案上的栅极绝缘层;
设置于所述栅极绝缘层上的半导体层;
设置于所述半导体层上方的第二层导电层图案,所述第二层导电层图案包括数据线、源极和漏极,其中,所述数据线设置于所述浮置遮光线上方且与漏极相连接,且其宽度小于所述浮置遮光线;
设置于所述第二层导电层图案上的介电层;
设置于所述介电层上的透明像素电极层,所述透明像素电极层上设置有透明像素电极。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述介电层为有机绝缘层,由有机材料构成。
3.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述介电层具有4以下的介电常数。
4.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述介电层具有2μm以上的厚度。
5.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述透明像素电极层的透明像素电极边缘与所述浮置遮光线部分交叠。
6.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述浮置遮光线的宽度与液晶显示器中的彩膜基板上的黑色矩阵宽度相等。
7.一种液晶显示器的像素结构制作方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
形成第一层导电图案于所述基板上,所述第一层导电层图案包括栅极扫描线、公共电极线和浮置遮光线,其中公共电极线仅沿平行于该栅极扫描线的方向形成;
形成栅极绝缘层于所述第一层导电层图案上;
形成半导体层于所述栅极绝缘层上;
形成第二层导电层图案于所述半导体层上,所述第二层导电层图案包括数据线、源极和漏极,将所述数据线设置于所述浮置遮光线上方且与漏极相连接,且其宽度小于所述浮置遮光线;
形成介电层于所述第二层导电层图案上;
形成透明像素电极层于所述介电层上,并在所述透明像素电极层上设置透明像素电极。
8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,通过沉积的方式形成所述半导体层和第二层导电层图案,并利用灰阶曝光或半阶曝光,通过一次掩模工序依次形成所述半导体层和第二层导电层图案上的各个图案。
9.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,采用有机绝缘层的制作方式形成介电层。
10.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,在所述介电层上设置接触孔,通过所述接触孔连接所述透明像素电极层上与所述第二层导电层图案上的源极。
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