[发明专利]液晶显示器的像素结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器制造领域，更具体的说，是涉及一种液晶显示器的像素结构及其制作方法。

背景技术

随着人们生活水平的不断提高，为了追求更完美的视觉享受，人们对日常生活中经常使用的显示器的要求也越来越高，目前最常用的显示器为液晶显示器。

液晶显示器一般包括：阵列基板、彩膜基板和填充在该阵列基板与该彩膜基板之间的液晶层。如图1所示，为现有技术中的液晶显示器的像素结构示意图，在液晶显示器的像素结构中，每个子像素区域一般定义为扫描线1与数据线2交叉处的矩形或者其他形状区域，在每个子像素区域内设置有TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)和透明像素电极4；透明像素电极4通过接触孔5电连接至晶体管的源极6；阵列基板上还形成有公共电极线3，该公共电极线3平行于扫描线1设置，并具有平行于数据线2方向的两分支，该分支可以遮挡由于透明像素电极4的边缘电场引起的混乱液晶。并且，该透明像素电极4与该公共电极线3相交叠形成存储电容。

请参阅附图2为上述数据线2处的断面示意图，公共电极线3的两分支位于数据线2的两侧，彩膜基板b上配置有黑色矩阵21，该黑色矩阵21用于遮挡透明像素电极4之外的区域，防止漏光。通常情况下，阵列基板a和彩膜基板b在贴合的时候，存在一定的对位偏差。因此，为防止透明像素电极4之外的区域I、II显露出来，将黑色矩阵21边缘距离区域I、II的宽度设置为一定的宽度W。

当前，在现有技术中针对液晶显示器的制造上，为提高液晶显示器背光源的利用率，一般采用设计较高的像素开口率来提高背光源。而影响像素开口率大小的主要因素，一般指透明像素电极与数据线之间的距离，若需要设计较大的像素开口率，必须缩小透明像素电极与数据线之间的距离。但是，在采用现有技术制造液晶显示器的像素结构时，缩小透明像素电极与数据线之间的距离，会使两者之间的寄生电容增大，而因为寄生电容增大之后，在数据线传送不同的电压时，产生垂直串扰现象；另外，在公共电极线与数据线过于接近时，两者之间的寄生电容同样会影响到公共电位的稳定性，进而产生水平串扰现象。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种液晶显示器的像素结构及其制作方法，以克服现有技术中在提升像素开口率过程中，使寄生电容增大，从而产生垂直或水平串扰的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种液晶显示器的像素结构，包括：

基板；

设置于所述基板上的第一层导电层图案，所述第一层导电层图案包括栅极扫描线、公共电极线和浮置遮光线，其中公共电极线仅沿平行于该栅极扫描线的方向形成；

设置于所述第一层导电层图案上的栅极绝缘层；

设置于所述栅极绝缘层上的半导体层；

设置于所述半导体层上方的第二层导电层图案，所述第二层导电层图案包括数据线、源极和漏极，其中，所述数据线设置于所述浮置遮光线上方且与漏极相连接，且其宽度小于所述浮置遮光线；

设置于所述第二层导电层图案上的介电层；

设置于所述介电层上的透明像素电极层，所述透明像素电极层上设置有透明像素电极。

优选的，所述介电层为有机绝缘层，由有机材料构成。

优选的，所述介电层具有4以下的介电常数。

优选的，所述介电层具有2μm以上的厚度。

优选的，所述透明像素电极层的透明像素电极边缘与所述浮置遮光线部分交叠。

优选的，所述浮置遮光线的宽度与液晶显示器中的彩膜基板上的黑色矩阵宽度相等。

一种液晶显示器的像素结构制作方法，包括：

提供一基板；

形成第一层导电图案于所述基板上，所述第一层导电层图案包括栅极扫描线、公共电极线和浮置遮光线，其中公共电极线仅沿平行于该栅极扫描线的方向形成；

形成栅极绝缘层于所述第一层导电层图案上；

形成半导体层于所述栅极绝缘层上；

形成第二层导电层图案于所述半导体层上，所述第二层导电层图案包括数据线、源极和漏极，将所述数据线设置于所述浮置遮光线上方且与漏极相连接，且其宽度小于所述浮置遮光线；

形成介电层于所述第二层导电层图案上；

形成透明像素电极层于所述介电层上，并在所述透明像素电极层上设置透明像素电极。

优选的，通过沉积的方式形成所述半导体层和第二层导电层图案，并利用灰阶曝光或半阶曝光，通过一次掩模工序依次形成所述半导体层和第二层导电层图案上的各个图案。