[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构的制造方法；其特征在于包括以下步骤：

制备一设有至少一发光二极管晶片的基板、一用以围绕该发光二极管晶片的框体，及一用以覆盖该框体的一侧的盖体；

将该框体与该基板结合，且使该发光二极管晶片位于该框体围绕的区域中；以及

将该盖体与该框体结合，使该盖体与该框体共同构成容置该发光二极管晶片的凹槽；

其中使该盖体与该框体的结合力小于该框体与该基板的结合力，致使移除该盖体时不破坏该框体与该基板的结合。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：该盖体与该框体的结合力为一第一结合力，而该框体与该基板的结合力为一第二结合力，该第一结合力和该第二结合力的差的绝对值与该第二结合力的百分比例介于25％至小于100％之间，且该第一结合力不小于5kgf/cm²。

3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：该盖体与该框体是以胶合剂胶合方式结合，而该第一结合力是依据胶合该盖体与该框体的胶合剂的一黏接面积或是依据胶合该盖体与该框体的胶合剂的一胶合力而决定。

4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：胶合该盖体与该框体的胶合剂的该胶合力是依据以下条件而决定，该条件包括选用适当黏度的胶合剂、控制胶合剂的固化时间，或以化学剂处理、高温效应处理、超音波处理或紫外光照射方式弱化胶合剂的胶合力。

5.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：该框体与该基板以焊接方式或以胶合剂胶合方式结合。

6.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：该框体与该基板及该框体与该盖体是以胶合剂胶合方式结合，且胶合该框体与该盖体的胶合剂的黏接面积小于胶合该框体与该基板的胶合剂的黏接面积，或胶合该框体与该盖体的胶合剂的胶合力小于胶合该框体与该基板的胶合剂的胶合力。

7.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：该盖体与该框体结合后，经过化学剂处理、高温效应处理、超音波处理或紫外光照射，而弱化该盖体与该框体的结合力。

8.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：该第一结合力和该第二结合力的差的绝对值与该第二结合力的百分比例介于40％至90％之间。

9.一种发光二极管封装结构，包括：一基板及至少一设于该基板上的发光二极管晶片；其特征在于：该发光二极管封装结构还包括：一框体及一盖体，该框体设于该基板上并围绕该发光二极管晶片，并具有一顶侧及一位于该顶侧的相反侧的底侧，该底侧与该基板结合，该盖体移除地结合于该框体的该顶侧，与该框体共同罩覆该发光二极管晶片。

10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该盖体与该框体的结合力小于该框体与该基板的结合力。

11.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该盖体与该框体的结合力为一第一结合力，而该框体与该基板的结合力为一第二结合力，该第一结合力和该第二结合力的差的绝对值与该第二结合力的百分比例介于25％至小于100％之间，且该第一结合力不小于5kgf/cm²。

12.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该框体还具有一由该顶侧往下凹陷的缺口。

13.如权利要求9或12所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该框体还具有相对的两第一侧壁，且各该第一侧壁具有一由外侧往内凹设的内凹部。

14.如权利要求13所述的发光二极管封装结构，其特征在于：各该内凹部位于各该第一侧壁的中间区域。