[发明专利]一种抛晶砖的制备方法有效
| 申请号： | 201010547700.4 | 申请日： | 2010-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102040398A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 韦斐;徐忠平;高强;张翼 | 申请（专利权）人： | 广东道氏标准制釉股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/86 | 分类号： | C04B41/86 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 冯剑明 |
| 地址： | 529400 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抛晶砖 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种抛晶砖的制备方法，包括在经高温烧制好的印花砖面上堆积低温熔块和高温熔块的混合物，然后经低温二次烧成、抛光得到产品。
2.根据权利要求1所述的抛晶砖的制备方法，其特征在于：低温熔块的组成为：Al2O3 5～7份、SiO2 62～68份、CaO 2～6份、MgO 0～2份、K2O 3～6份、Na2O 2～5份、B2O3 9～16份、BaO 3～7份，所述份数为质量份。
3.根据权利要求1所述的抛晶砖的制备方法，其特征在于：高温熔块的组成为：Al2O3 6～11份、SiO2 54～64份、CaO 4～10份、K2O 1～4份、Na2O 1～3份、B2O3 3～8份、MgO 0～2份、ZnO 4～10份、BaO 3～7份，所述份数为质量份。
4.根据权利要求1所述的抛晶砖的制备方法，其特征在于：熔块的细度为20～200目，根据实际情况可以进行相应的调整。
5.根据权利要求1所述的抛晶砖的制备方法，其特征在于：低温熔块和高温熔块的质量混合比为100：10～40。
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