[发明专利]一种抛晶砖的制备方法有效
申请号: | 201010547700.4 | 申请日: | 2010-11-17 |
公开(公告)号: | CN102040398A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 韦斐;徐忠平;高强;张翼 | 申请(专利权)人: | 广东道氏标准制釉股份有限公司 |
主分类号: | C04B41/86 | 分类号: | C04B41/86 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 冯剑明 |
地址: | 529400 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抛晶砖 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种抛晶砖的制备方法。
背景技术
抛晶砖晶莹剔透,立体感强,它的使用丰富了仿古砖的装饰手法,有力地提升提了产品的档次。透明度、光泽度是抛晶熔块的重要指标。抛晶砖质量的好坏,直接取决于透明釉层的质量。透明度高、气泡少的透明釉层,抛光后得到的抛晶砖的装饰效果也更好。
抛晶砖的制备是在砖坯施底釉、面釉、印花釉后,经1180~1200℃第一次烧成,然后在砖坯表面布熔块干粒,一般控制厚度在3mm左右,在低温下950~1150℃左右入窑烧制,经60~180分钟烧成后,再进行抛光。
由于熔块的堆积厚度较大,导致熔块熔融后,排气困难,因而釉层中存在大量的气泡,严重的影响了产品的透明性,而且由于釉层中存在气泡,抛光后产生大量的气孔,很容易造成吸污,严重的影响了美观和使用。目前市场上普遍是采用单一熔块,导致熔融温度较窄,适应性差,而且排气效果差,釉面气泡较多。
发明内容
本发明的目的在于提供一种抛晶砖的制备方法。
本发明所采取的技术方案是:
一种抛晶砖的制备方法,包括在经高温烧制好的印花砖面上堆积低温熔块和高温熔块的混合物,然后经低温二次烧成、抛光得到产品。
优选的,低温熔块的组成为:Al2O3 5~7份、SiO2 62~68份、CaO 2~6份、MgO 0~2份、K2O 3~6份、Na2O 2~5份、B2O3 9~16份、BaO 3~7份,所述份数为质量份。
高温熔块的组成为:Al2O3 6~11份、SiO2 54~64份、CaO 4~10份、K2O 1~4份、Na2O 1~3份、B2O3 3~8份、MgO 0~2份、ZnO 4~10份,BaO 3~7份,所述份数为质量份。
优选的,熔块的粒度为20~200目。
优选的,低温熔块和高温熔块的质量混合比为100:10~40。
通过本发明制备工艺制得的抛晶砖,即具有有较高的高温粘度和稳定的玻璃网络结构,使得熔块在烧成后具有一定的高度,保证了其具有立体感和艺术感,由于高温熔块的骨架作用,使气泡尽量多的排出,得到的釉层中的气泡少,透明度高,釉面质量好。通过调节低温熔块和高温熔块的配比,可适用于不同的烧成温度,方便灵活,可以适用于不同的产品。
具体实施方式
一种抛晶砖的制备方法,包括在经高温烧制好的印花砖面上堆积低温熔块和高温熔块的混合物,然后经低温二次烧成、抛光得到产品。
优选的,低温熔块的组成为:Al2O3 5~7份、SiO2 62~68份、CaO 2~6份、MgO 0~2份、K2O 3~6份、Na2O 2~5份、B2O3 9~16份、BaO 3~7份,所述份数为质量份,其熔融温度在950~1050℃之间。
优选的,高温熔块的组成为:Al2O3 6~11份、SiO2 54~64份、CaO 4~10份、K2O 1~4份、Na2O 1~3份、B2O3 3~8份、MgO 0~2份、ZnO 4~10份、BaO 3~7份,其熔融温度在1000~1150℃之间。
通过配合使用这种特定的低温熔块、高温熔块,可以获得更好的效果。
优选的,熔块的粒度为20~200目。使用这一粒度范围内的熔块干粒,可以更好的排出釉层中的气泡,进一步提升产品的质量。
优选的,低温熔块和高温熔块的质量混合比为100:10~40。
低温熔块和高温熔块的定义是相对的,对本领域的技术人员而言,只要两种熔块的始融温度相差在50℃以上,则始融温度高的熔块可被称为高温熔块,另外一种可被称为低温熔块。
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