[发明专利]半导体基板的制造方法及半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体基板的制造方法，包括：

提供一基材，该基材具有一第一贯孔及相对的一第一面与一第二面；

压合一介电结构于该基材上，其中该介电结构包括一第一子介电结构、一第二子介电结构及一贯孔介电结构，该第一子介电结构形成于该第一面、该第二子介电结构形成于该第二面且该贯孔介电结构形成于该第一贯孔内；

形成一第二贯孔至少贯穿该贯孔介电结构；以及

形成一导电材料于该第二贯孔内。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中于形成该导电材料的该步骤中，该导电材料填满该第二贯孔。

3.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供一基材，该基材具有一组件贯孔、一第一贯孔及相对的一第一面与一第二面；

设置该基材于一载板上；

设置一半导体组件于该组件贯孔内，其中该半导体组件具有一接垫，该半导体组件邻近于该载板；

移除该载板；

压合一第一介电结构于该基材上，其中该第一介电结构包括一第一子介电结构、一第二子介电结构及一贯孔介电结构，该第一子介电结构形成于该第一面、该第二子介电结构形成于该第二面且该贯孔介电结构形成于该第一贯孔内；

形成一第二贯孔至少贯穿该贯孔介电结构，其中该贯孔介电结构具有对应该第二贯孔的一第一内侧壁；

形成一第一开孔于该第二子介电结构，其中该半导体组件的该接垫从该第一开孔露出；以及

形成一图案化导电层于该第一子介电结构、该第一内侧壁及该第二子介电结构上。

4.如权利要求3所述的制造方法，其中于形成该图案化导电层的该步骤中，该图案化导电层包括一第一子导电层、一贯孔导电结构及一第二子导电层，该第一子导电层形成于该第一子介电结构上、该贯孔导电结构形成于该第一内侧壁上而该第二子导电层形成于该第二子介电结构上，该制造方法更包括：

形成一第二介电结构于该第一子导电层及该第二子介电结构上，其中该第二介电结构具有一第二开孔，该第二子导电层的一部分从该第二开孔露出。

5.如权利要求4所述的制造方法，其中于形成该第二介电结构的该步骤之后，该制造方法更包括：

形成一表面处理层于该第二子导电层中露出的该部分上。

6.如权利要求4所述的制造方法，其中该第二介电结构具有一第三开孔，该第一子导电层的一部分从该第三开孔露出。

7.如权利要求3所述的制造方法，其中于设置该半导体组件于该组件贯孔内的该步骤中，该半导体组件的该接垫面向或背向该载板；

于设置该半导体组件于该组件贯孔内的该步骤之后，该制造方法更包括：

形成一黏胶于该组件贯孔内，以固设该半导体组件。

8.如权利要求7所述的制造方法，其中于提供该基材的该步骤中，该基材具有对应于该组件贯孔的一第二内侧壁，于设置该半导体组件于该组件贯孔内的该步骤之后，该制造方法更包括：

形成一黏胶连接该半导体组件的侧面及该第二内侧壁。

9.如权利要求7所述的制造方法，其中于设置该基材于该载板的该步骤中，该载板具有一组件承载面，该组件承载面从该组件贯孔露出；

于提供该基材的该步骤中，该基材具有对应于该组件贯孔的一第二内侧壁；以及

于设置该半导体组件于该组件贯孔内的该步骤之后，该制造方法更包括：

形成一黏胶于该组件承载面与该第二内侧壁的交接处。

10.如权利要求3所述的制造方法，其中于于设置该基材于该载板的该步骤中，该载板具有一黏贴层；于设置该半导体组件于该组件贯孔的该步骤中，该半导体组件的该接垫埋入该黏贴层内。

11.如权利要求3所述的制造方法，其中于提供该基材的该步骤中，该基材具有数个第一贯孔，该些第一贯孔邻近该组件贯孔设置。