[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构，包括基板、设置在基板上的发光二极管芯片、与发光二极管芯片电连接的第一电连接部和第二电连接部，该第一电连接部由该基板的第一表面延伸至与第一表面相对的第二表面，该第二电连接部由该基板的第一表面延伸至与第一表面相对的第二表面，其特征在于：所述第一电连接部和第二电连接部覆盖有一层防氧化层。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述防氧化层为一层不易氧化的金属层。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：还包括设置于所述基板上的反射部及包覆该反射部的绝缘层，该反射部通过绝缘层与第一电连接部和第二电连接部相互绝缘，所述发光二极管芯片设置于该绝缘层上。

4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述绝缘层由透明的材质制成。

5.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于：还包括覆盖于所述防氧化层与所述绝缘层上的封装体，该封装体包裹所述发光二极管芯片。

6.一种发光二极管封装结构制造方法，包括步骤：

1)提供一基板，该基板上形成有多对电极，每对电极之间形成与电极相互绝缘的反射部；

2)提供多个绝缘层，每一绝缘层盖在相应的反射部上；

3)在电极上电镀有防氧化层；

4)放置发光二极管芯片在每一绝缘层上，并通过导线将发光二极管芯片与相应的防氧化层电连接；

5)形成多个相互间隔的封装体，每一封装体覆盖一对电极上的防氧化层及该对电极之间的绝缘层上，并将相应的发光二极管芯片与导线包裹，从而在基板上形成多个发光二极管封装结构；

6)将多个发光二极管封装结构彼此分离。

7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构制造方法，其特征在于：步骤3)中的防氧化层为一层不易氧化的金属层。

8.如权利要求6所述的发光二极管封装结构制造方法，其特征在于：步骤4)中的绝缘层由透明的材质制成。

9.如权利要求6至8中任一项所述的发光二极管封装结构制造方法，其特征在于：所述电极由所述基板的第一表面延伸至与第一表面相对的第二表面。

10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构制造方法，其特征在于：所述反射部由所述基板的第一表面延伸至与第二表面。