[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体发光元件及其制造方法，尤其涉及一种发光二极管封装结构及其制造方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光的半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。

在现有的发光二极管封装结构中，其金属电极大都采用银或银镍合金制成，但金属银容易被氧化而导致元件功能丧失。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种防止金属电极被氧化的发光二极管封装结构及其制造方法。

一种发光二极管封装结构，包括基板、设置在基板上的发光二极管芯片及通过打线与发光二极管芯片电连接的第一电连接部和第二电连接部，该第一电连接部由该基板的第一表面延伸至与第一表面相对的第二表面，该第二电连接部由该基板的第一表面延伸至与第一表面相对的第二表面，所述第一电连接部和第二电连接部覆盖有一层防氧化层。

一种发光二极管封装结构制造方法，包括步骤：

1)提供一基板，该基板上形成有多对电极，每对电极之间形成与电极相互绝缘的反射部；

2)提供多个绝缘层，每一绝缘层盖在相应的反射部上；

3)在电极上电镀有防氧化层；

4)放置发光二极管芯片在每一绝缘层上，并通过导线将发光二极管芯片与相应的防氧化层电连接；

5)形成多个相互间隔的封装体，每一封装体覆盖一对电极上的防氧化层及该对电极之间的绝缘层上，并将相应的发光二极管芯片与导线包裹，从而在基板上形成多个发光二极管封装结构；

6)将多个发光二极管封装结构彼此分离。

在第一电连接部和第二电连接部(即电极)上形成防氧化层，有效防止第一电连接部和第二电连接部被氧化，从而保证了发光二极管封装结构正常工作。

附图说明

图1为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的截面示意图。

图2为本发明第二实施例的发光二极管封装结构的截面示意图。

图3为本发明第三实施例的发光二极管封装结构的截面示意图。

图4为制造图1的发光二极管封装结构的第一个步骤。

图5为制造图1的发光二极管封装结构的第二个步骤。

图6为制造图1的发光二极管封装结构的第三个步骤。

图7为制造图1的发光二极管封装结构的第四个步骤。

图8为制造图1的发光二极管封装结构的第五个步骤。

主要元件符号说明

基板                        10

第一电连接部                11

第二电连接部                12

反射部                      13、13a

绝缘层                      14

防氧化层                    15、15b

发光二极管芯片              16

封装体                      17

导线                        18

第一表面                    101

第二表面                        102

具体实施方式

如图1所示，本发明第一实施例的发光二极管封装结构包括基板10、贴于基板10上的相互绝缘的第一电连接部11和第二电连接部12、反射部13、包覆反射部13的绝缘层14、形成于第一电连接部11和第二电连接部12的防氧化层15、设置于绝缘层14上的发光二极管芯片16、以及设置于发光二极管芯片16的出光方向上的封装体17。所述反射部13通过绝缘层14分别与第一电连接部11和第二电连接部12绝缘。所述发光二极管芯片16通过打线分别与第一电连接部11和第二电连接部12上的防氧化层15电连接。