[发明专利]光器件晶片的加工方法有效
申请号: | 201010551954.3 | 申请日: | 2010-11-17 |
公开(公告)号: | CN102097310A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 星野仁志;能丸圭司 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 陈坚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 晶片 加工 方法 | ||
1.一种光器件晶片的加工方法,其是将光器件晶片沿着间隔道分割成一个个光器件的光器件晶片的加工方法,其中所述光器件晶片构成为在基板的表面层叠有光器件层、并且在通过呈格子状地形成的多条间隔道划分出的多个区域中形成了光器件,所述光器件晶片的加工方法的特征在于,
该光器件晶片的加工方法包括以下工序:
保护部件粘贴工序,在该保护部件粘贴工序中,在光器件晶片的表面粘贴保护部件;
变质层形成工序,在该变质层形成工序中,将聚光点定位于光器件晶片的基板的内部,从光器件晶片的基板的背面侧沿间隔道照射相对于光器件晶片的基板具有透射性的波长的激光光线,从而在基板的内部在比光器件层靠背面侧的位置沿间隔道形成变质层;
背面磨削工序,在该背面磨削工序中,对实施了所述变质层形成工序的光器件晶片的基板的背面进行磨削,使光器件晶片形成为预定的厚度;以及
晶片断裂工序,在该晶片断裂工序中,对实施了背面磨削工序的光器件晶片施加外力,使光器件晶片沿着形成有变质层的间隔道断裂,从而将光器件晶片分割成一个个光器件。
2.根据权利要求1所述的光器件晶片的加工方法,其中,
在变质层形成工序中,从距离光器件晶片的基板的表面20~60μm的位置起向背面侧形成变质层。
3.根据权利要求1或2所述的光器件晶片的加工方法,其中,
在所述保护部件粘贴工序中,将光器件晶片的表面粘贴至作为保护部件的保护带,其中所述作为保护部件的保护带装配于环状框架,在光器件晶片的表面粘贴于所述保护带的状态下,实施所述变质层形成工序、所述背面磨削工序以及所述晶片断裂工序。
4.根据权利要求1或2所述的光器件晶片的加工方法,其中,
在实施了所述晶片断裂工序后,实施变质层除去工序,在该变质层除去工序中,对光器件晶片的基板的背面进行磨削,从而除去变质层。
5.根据权利要求4所述的光器件晶片的加工方法,其中,
在所述保护部件粘贴工序中,将光器件晶片的表面粘贴至作为保护部件的保护带,其中所述作为保护部件的保护带装配于环状框架,在光器件晶片的表面粘贴于所述保护带的状态下,实施所述变质层形成工序、所述背面磨削工序、所述晶片断裂工序以及所述变质层除去工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造