[发明专利]光器件晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种将光器件晶片沿间隔道分割成一个个光器件的晶片的加工方法，所述光器件晶片在基板的表面层叠有光器件层、并且在通过呈格子状地形成的多条间隔道划分出的多个区域中形成有光器件。

背景技术

在光器件制造工序中，在大致圆板形状的蓝宝石基板或碳化硅基板的表面层叠由氮化镓类化合物半导体构成的光器件层，并且在通过呈格子状地形成的多条间隔道划分出的多个区域中形成发光二极管、激光二极管等光器件，从而构成光器件晶片。然后，通过沿着间隔道切断光器件晶片，将形成有光器件的区域分割开来，从而制造出一个个光器件。

通常，通过被称为划片机(dicer)的切削装置来进行上述光器件晶片的沿着间隔道的切断。该切削装置具备：卡盘工作台，其保持被加工物；切削构件，其用于对保持于所述卡盘工作台的被加工物进行切削；以及切削进给构件，其使卡盘工作台与切削构件相对移动。切削构件包括旋转主轴、装配于该旋转主轴的切削刀具、以及驱动旋转主轴旋转的驱动机构。切削刀具由圆盘状的基座和装配于该基座的侧面外周部的环状的切削刃构成，切削刃例如通过电铸将粒径为3μm左右的金刚石磨粒固定于基座而形成，并且其厚度形成为20μm左右。

然而，由于构成光器件晶片的蓝宝石基板、碳化硅基板等的莫氏硬度高，所以利用上述切削刀具进行的切断未必容易。而且，由于切削刀具具有20μm左右的厚度，所以作为划分器件的间隔道，其宽度需要达到50μm左右。因此，间隔道所占面积比率很高，存在生产效率差的问题。

为了消除上述问题，作为沿间隔道分割光器件晶片的方法，提出了这样的方法：通过沿间隔道照射相对于晶片具有吸收性的脉冲激光光线来形成作为断裂起点的激光加工槽，通过沿着形成有该作为断裂起点的激光加工槽的间隔道施加外力来进行断裂(例如，参照专利文献1)。

但是，当沿着在构成光器件晶片的蓝宝石基板的表面上形成的间隔道照射激光光线来形成激光加工槽时，存在这样的问题：发光二极管等光器件的外周被烧蚀，辉度降低，从而光器件的品质降低。

为了消除这样的问题，下述专利文献2中公开了这样的蓝宝石基板的加工方法：将聚光点定位于蓝宝石基板的内部，从蓝宝石基板的未形成作为光器件层的发光层(外延层)的背面侧，沿间隔道照射相对于蓝宝石基板具有透射性的波长的激光光线，从而在蓝宝石基板的内部沿间隔道形成变质层，由此沿着形成有变质层的间隔道分割蓝宝石基板。

专利文献1：日本特开平10-305420号公报

专利文献2：日本特开2008-6492号公报

在上述专利文献2所公开的晶片的分割方法中，首先，为了使晶片形成为预定的厚度(例如100μm以下)而磨削晶片的背面，然后将聚光点对准晶片的内部，从晶片的背面侧沿间隔道照射相对于晶片具有透射性的波长的脉冲激光光线，从而在晶片的内部沿间隔道形成作为断裂起点的变质层，然而，若变质层到达作为光器件层的发光层(外延层)，则光器件层会受到损坏，光器件的辉度会降低。为了消除这样的问题，需要在不到达光器件层的范围内形成变质层。但是，在晶片的厚度很薄、例如为100μm以下的状态下，要在不到达光器件层的范围内形成变质层非常困难。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供一种能够在不到达光器件层的范围内容易地形成变质层、并且能够使光器件的厚度形成为预定厚度的光器件晶片的加工方法。

为了解决上述主要的技术课题，本发明提供一种光器件晶片的加工方法，其是将光器件晶片沿着间隔道分割成一个个光器件的光器件晶片的加工方法，其中所述光器件晶片构成为在基板的表面层叠有光器件层、并且在通过呈格子状地形成的多条间隔道划分出的多个区域中形成了光器件，所述光器件晶片的加工方法的特征在于，

该光器件晶片的加工方法包括以下工序：

保护部件粘贴工序，在该保护部件粘贴工序中，在光器件晶片的表面粘贴保护部件；

变质层形成工序，在该变质层形成工序中，将聚光点定位于光器件晶片的基板的内部，从光器件晶片的基板的背面侧沿间隔道照射相对于光器件晶片的基板具有透射性的波长的激光光线，从而在基板的内部在比光器件层靠背面侧的位置沿间隔道形成变质层；

背面磨削工序，在该背面磨削工序中，对实施了所述变质层形成工序的光器件晶片的基板的背面进行磨削，使光器件晶片形成为预定的厚度；以及

晶片断裂工序，在该晶片断裂工序中，对实施了背面磨削工序的光器件晶片施加外力，使光器件晶片沿着形成有变质层的间隔道断裂，从而将光器件晶片分割成一个个光器件。