[发明专利]光伏装置及薄膜太阳能电池的制造方法有效
申请号: | 201010552495.0 | 申请日: | 2010-11-17 |
公开(公告)号: | CN102299197A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 涂志强;陈俊郎 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 薄膜 太阳能电池 制造 方法 | ||
1.一种光伏装置的制造方法,包括:
提供一基板;
在该基板上形成一第一导电层;
利用一纳米压印及蚀刻工艺,在该第一导电层中形成第一凹槽;
在该第一导电层上形成一吸收层,该吸收层填入该第一凹槽中;
利用一纳米压印工艺在该吸收层中形成第二凹槽;
在该吸收层上形成一第二导电层,该第二导电层填入该第二凹槽中;以及
在该第二导电层及该吸收层中形成第三凹槽,借以定义一光伏电池单元。
2.根据权利要求1所述的光伏装置的制造方法,其中利用该纳米压印及蚀刻工艺,在该第一导电层中形成该第一凹槽的步骤,包括:
在该第一导电层上形成一中间层;
提供具有一图案的一铸模;
以该图案压印该中间层;
将该中间层的该图案转移至该第一导电层;以及
移除该中间层。
3.根据权利要求1所述的光伏装置的制造方法,其中利用该纳米压印工艺在该吸收层中形成该第二凹槽的步骤,包括:
提供具有一图案的一铸模;以及
以该图案压印该吸收层。
4.根据权利要求1所述的光伏装置的制造方法,其中形成该第三凹槽包括进行一激光切割、一加工切割工艺或一纳米压印工艺。
5.根据权利要求1所述的光伏装置的制造方法,其中:
该第一导电层为一钼层;
该吸收层为一铜、铟、镓、硒层或一硅墨层;以及
该第二导电层为一透明导电氧化层。
6.一种薄膜太阳能电池的制造方法,包括:
提供一基板;
进行一第一纳米压印工艺,以在该基板上形成一第一电极;
进行一第二纳米压印工艺,以在该第一电极上形成一吸收元件;以及
在该吸收元件上形成一第二电极。
7.根据权利要求6所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其中进行该第一纳米压印工艺,以在该基板上形成该第一电极的步骤,包括:
在该基板上形成一第一导电层;
在该第一导电层上形成一遮蔽层;
提供具有一第一图案的一第一铸模;
将具有该第一图案的该第一铸模压入该遮蔽层中,根据该第一图案而在该遮蔽层中形成一相对厚度;
将该第一铸模从该遮蔽层移除,其中该相对厚度制造出具有一开口的一图案化遮蔽层,该开口暴露出该第一导电层;
在该开口中蚀刻该第一导电层;以及
而后,移除该图案化遮蔽层。
8.根据权利要求7所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其中进行该第二纳米压印工艺,以在该第一电极上形成该吸收元件的步骤,包括:
在该基板及该第一电极上形成一吸收层;
提供具有一第二图案的一第二铸模;
将具有该第二图案的该第二铸模压入该吸收层中,根据该第二图案,在该吸收层中制造出一相对厚度;以及
由该吸收层移除该第二铸模,其中该相对厚度制造出具有一开口的一图案化吸收层,该开口暴露出该第一电极。
9.根据权利要求8所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其中:
进行蚀刻该第一导电层包括在该第一导电层中形成一开口,而暴露出该基板的一部分;以及
在该基板及该第一电极形成该吸收层包括以该吸收层填入该第一导电层中的该开口。
10.根据权利要求8所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其中在该吸收元件上形成该第二电极包括在该图案化吸收层上形成一第二导电层,其中该第二导电层部分填入暴露出该第一电极的该开口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的