[发明专利]光伏装置及薄膜太阳能电池的制造方法有效

专利信息
申请号: 201010552495.0 申请日: 2010-11-17
公开(公告)号: CN102299197A 公开(公告)日: 2011-12-28
发明(设计)人: 涂志强;陈俊郎 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 姜燕;陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 装置 薄膜 太阳能电池 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种光伏电池,特别是涉及一种光伏电池的制备。

背景技术

光伏电池(photovoltaic cells),也称为太阳能电池,将光能转换能电能。为了提供更高的转换率,业界持续地发展光伏电池及其制备方法。举例而言,薄膜光伏电池(thin film photovoltaic cell)已可提供较佳的转换率。传统上制备薄膜光伏装置是利用激光及机械切割,以定义、连线、隔离光伏装置而成为各个连接的光伏电池。目前已发现这些方法会造成低产能及光伏电池表面损害。因此,虽然现存方法已可大致上达到所欲目的,但并非在各方面都可令人满意。

发明内容

为克服现有技术的缺陷,本发明提供许多不同实施例。根据本发明一较广泛的实施例,制备光伏装置的方法包括:提供一基板;在基板上形成第一导电层;以纳米压印及蚀刻工艺在第一导电层中形成第一凹槽(first groove);在第一导电层上形成吸收层(absorption layer),该吸收层填入第一凹槽中;以纳米压印工艺在吸收层中形成第二凹槽;在吸收层上形成第二导电层,该第二导电层填入第二凹槽中;在第二导电层及吸收层中形成第三凹槽,从而定义光伏电池单元。

根据本发明另一较广泛的实施例,制备光伏装置的方法包括:提供一基板;在基板上形成第一导电层;进行第一纳米压印工艺,在第一导电层中形成第一开口而暴露出基板;在第一导电层上形成吸收层,该吸收层填入第一开口中;进行第二纳米压印工艺,在吸收层中形成第二开口而暴露出第一导电层;在吸收层上形成第二导电层,该第二导电层部分填入第二开口中;移除部份第二导电层及吸收层,而形成暴露出第一导电层的第三开口。

本发明另一较广泛的实施例包括制备薄膜太阳能电池的方法,包括:提供一基板;进行第一纳米压印工艺以在基板上形成第一电极;进行第二纳米压印工艺以在第一电极上形成吸收元件(absorption element);以及在吸收元件上形成第二电极。

本发明的纳米压印提供高准确图案化,光伏电池中对位可因而提升。再者,纳米压印技术与传统制造方法相反,可轻易的进行传统的卷轴式(roll-to-roll)制造工艺,而简化光伏装置的制造,并降低制造成本。

为让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂,下文特举出较佳实施例,并配合附图,作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明多个实施例中,制备光伏装置的方法的流程图。

图2-图14为图1所示方法的各剖面图,用以说明光伏装置的不同制备阶段。

【主要附图标记说明】

100~方法

102、104、106、108、110、112、114~步骤

200~光伏装置

210~基板

220、280~导电层

220A、280A~图案化导电层

230~材料层

230A~图案化材料层

240、270~铸模

241、271~突出特征

242、244、252、254、272、274、276、292~开口

250~蚀刻工艺

256、294~电极

260~吸收层

260A~图案化吸收层

278~吸收元件

290~工艺

296、298~电池单元

具体实施方式

因本发明的不同特征而提供多个不同的实施例。本发明中特定的元件及安排是为了简化,但本发明并不以这些实施例为限。举例而言,在第二元件上形成第一元件的描述可包括第一元件与第二元件直接接触的实施例,也包括具有额外的元件形成在第一元件与第二元件之间、使得第一元件与第二元件并未直接接触的实施例。此外,本发明在不同例子中以重复的元件符号及/或字母表示,是为了简化及清楚,但并未指示所述各实施例及/或结构间的关系。

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