[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010552497.X | 申请日： | 2010-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102290378A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 陈宪伟;杨宗颖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/485;H01L27/02;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
一基板，具有一密封环区与一电路区；
多个假栅极，位于该基板的该密封环区之上；以及
一密封环结构，设置于该密封环区内的所述多个假栅极之上。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中位于密封环区内的所述多个假栅极形成了占据了该密封环区的一总表面区域约15％-80％的一阵列物。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该密封环区内的所述多个假栅极形成了由经垂直与水平对准的假栅极所构成的一阵列物，每一假栅极具有一正方形剖面。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其中位于该密封环区内的所述多个假栅极形成了经垂直与水平交错的假栅极所构成的一阵列物，每一假栅极包括具有侧边A的一正方形剖面，且其中相邻的假栅极间的垂直与水平交错距离约介于0.175-1.4埃。
5.一种半导体装置，包括：
一基板，具有一密封环区与一电路区；
多个假多晶硅栅极，位于该基板的该密封环区之上，位于密封环区内的所述多个假多晶硅栅极占据了该密封环区的总表面区域约15-80％；
一层间介电物，设置于该密封环区内的相邻假多晶硅栅极之间；以及
一密封环结构，设置于该密封环区内的所述多个假多晶硅栅极之上。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其中位于该密封环区内的所述多个假多晶硅栅极形成了由经垂直与水平对准的假多晶硅栅极所构成的一阵列物，每一假多晶硅栅极具有一正方形剖面。
7.如权利要求5所述的半导体装置，其中位于该密封环区内的所述多个假多晶硅栅极形成了经垂直与水平交错的假多晶硅栅极所构成的一阵列物，每一假多晶硅栅极包括具有侧边A的一正方形剖面，且其中相邻的假多晶硅栅极间的垂直与水平交错距离约介于0.175-1.4埃。
8.一种半导体装置的制造方法，包括：
提供一基板，具有一密封环区与一电路区；
形成多个假栅极于该基板的该密封环区之上；以及
形成一密封环结构于该密封环区内的所述多个假栅极之上。
9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中该密封环区内的所述多个假栅极形成了由经垂直与水平对准的假栅极所构成的一阵列物，每一假栅极具有一正方形剖面。
10.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中位于该密封环区内的所述多个假栅极形成了经垂直与水平交错的假栅极所构成的一阵列物，每一假栅极包括具有侧边A的一正方形剖面，且其中相邻的假栅极间的垂直与水平交错距离约介于0.175-1.4埃。
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