[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括衬底、位于所述衬底中的沟道区、源漏区、位于所述沟道区上的栅极和栅极侧墙，以及位于所述源漏区上的镍基硅化物，其特征在于：所述镍基硅化物为外延生长的薄膜层。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源漏区位于所述衬底中沟道区的两侧，或是位于所述衬底上所述栅极侧墙的两侧。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，镍基硅化物为NiSi_2-y或Ni_1-xPt_xSi_2-y，其中x和y均为大于等于0且小于1的数，镍基硅化物的厚度为1-12nm。

4.如权利要求1至3任一项所述的半导体器件，其中，所述衬底为体硅或SOI。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，还包括氧化绝缘层，位于所述衬底、所述源漏区和所述镍基硅化物上，以及位于栅极侧墙周围。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极为由高k栅极介电层和金属栅极层组成的堆叠结构。

7.一种如权利要求1的半导体器件的制造方法，包括：

在衬底上形成栅极结构和隔离侧墙；

在栅极结构和隔离侧墙两侧形成源漏区；

沉积镍基的金属薄层；

执行第一退火，形成镍基硅化物；

去除未反应的镍基的金属薄层。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一退火温度为500至850℃。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一退火温度为700至850℃，退火时间为1至60分钟。

10.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，沉积的镍基金属薄层为Ni或Ni-Pt，其厚度为1至5nm。

11.如权利要求7至10任一项所述的半导体器件的制造方法，还包括步骤：去除未反应的镍基金属薄层之后，执行第二退火，以消除DRAM电容缺陷。

12.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中所述第二退火温度为700至850℃，所述第二退火时间为1至60分钟。

13.如权利要求7至10任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，形成源漏区的步骤包括：通过掺杂注入的方式在衬底中沟道区两侧形成源漏区，或是通过选择性外延生长在衬底上隔离侧墙两侧形成提升的源漏区。

14.如权利要求7至10任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，栅极结构的形成包括步骤：在衬底中的沟道区上形成虚拟栅极以及虚拟栅极两侧的隔离侧墙；沉积氧化绝缘层并平坦化；去除所述虚拟栅极，沉积高k栅极介电层和金属栅极层组成堆叠结构；平坦化所述堆叠结构直至露出所述氧化绝缘层。

15.如权利要求14所述的半导体器件的制造方法，其中，沉积金属薄层的步骤包括：在所述氧化绝缘层上涂光刻胶，光刻形成接触孔直至接触源漏区，剥除所述光刻胶，沉积金属薄层。