[发明专利]一种形成P型重掺杂的方法无效
| 申请号： | 201010554524.7 | 申请日： | 2010-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102468381A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 孙智江 | 申请（专利权）人： | 孙智江 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张利强 |
| 地址： | 上海黄浦区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 形成 掺杂 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种形成P型重掺杂的方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤①，在LED发光晶体外延片制作步骤中使用外延生长方式生长半导体发光材料；
步骤②，在LED发光晶体外延片制作步骤中生成P型结构层；
步骤③，停止LED发光晶体外延片制作步骤，进入LED芯片制作步骤；
步骤④，在LED制作步骤中，通过注入或是掺杂方式，在所述的P型结构层外表面构成P型重掺杂。
2.根据权利要求1所述的一种形成P型重掺杂的方法，其特征在于：所述的注入或是掺杂方式为低能离子注入。
3.根据权利要求1所述的一种形成P型重掺杂的方法，其特征在于：所述的注入或是掺杂方式为等离子体浸没掺杂。
4.根据权利要求1所述的一种形成P型重掺杂的方法，其特征在于：所述的注入或是掺杂方式为投射式气体浸入激光掺杂。
5.根据权利要求1所述的一种形成P型重掺杂的方法，其特征在于：所述的注入或是掺杂方式为为快速汽相掺杂。
6.根据权利要求1所述的一种形成P型重掺杂的方法，其特征在于：所述的注入或是掺杂方式为离子淋浴掺杂。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的一种形成P型重掺杂的方法，其特征在于：所述的P型结构层为P型GaN、P型GaAs、P型GaN、InGaN中的一种。
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