[发明专利]一种形成P型重掺杂的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种参杂方法，尤其涉及一种形成P型重掺杂的方法。 

背景技术

虽然GaN LED的发展相当成功，但是使用有机金属化学气相沉积(MOCVD)制程却让p型掺杂区域无法达到理想的特性。要达到固态照明，需要在外延层(epilayer)堆积结构中具有低电阻及不连续掺杂剖面结构的高掺杂浓度的p型区域，但现今制程会产生两个问题：1. 高阻抗材料会阻碍电流扩展(current spreading)；2. 较差的欧姆接触(ohmic contacts)，会增加操作电压并阻碍高驱动电流。 

　 由于使用镁作为掺杂物进行有机金属气相沉积(MOCVD)来长成固有特性的p型GaN和AlGaN，镀膜成长完毕后置热活化，而这些氮化物(nitrides)具有高电阻。这些高电阻的成因可能源自表面的氢气造成钝化结果所致(氢气为标准MOCVD载体气体)。成膜后置热活化会破坏镁–氢错合物并促进导电度，纵使掺杂太多的镁仍会造成材料质量的劣化。 

但是，P型重掺杂及其激活效率对其欧姆接触有很大的影响，进而直接影响LED芯片的发光效率。因此，如何在不增加器件制作成本、工艺复杂性的前提下有效提高P型重掺杂激活效率，已成为业界亟待解决的技术问题。 

发明内容

本发明的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种形成P型重掺杂的方法。 

本发明的目的通过以下技术方案来实现： 

一种形成P型重掺杂的方法，包括

步骤①，在LED发光晶体外延片制作步骤中使用外延生长方式生长半导体发光材料；

步骤②，在LED发光晶体外延片制作步骤中生成P型结构层；

步骤③，停止LED发光晶体外延片制作步骤，进入LED芯片制作步骤；

步骤④，在LED制作步骤中，通过注入或是掺杂方式，在所述的P型结构层外表面构成P型重掺杂。

进一步地，上述的一种形成P型重掺杂的方法，其中：所述的注入或是掺杂方式为低能离子注入。 

进一步地，上述的一种形成P型重掺杂的方法，其中：所述的注入或是掺杂方式为等离子体浸没掺杂。 

更进一步地，上述的一种形成P型重掺杂的方法，其中：所述的注入或是掺杂方式为投射式气体浸入激光掺杂。 

更进一步地，上述的一种形成P型重掺杂的方法，其中：所述的注入或是掺杂方式为为快速汽相掺杂。 

再进一步地，上述的一种形成P型重掺杂的方法，其中：所述的注入或是掺杂方式为离子淋浴掺杂。 

进一步地，上述的一种形成P型重掺杂的方法，其中：所述的P型结构层为P型GaN、P型GaAs、P型GaN、InGaN中的一种。 

本发明技术方案的优点主要体现在：通过改变P型重掺杂的生长方式，提高P型重掺杂的激活效率，降低P型GaN的欧姆接触电阻，从而提高LED芯片的发光效率。并且，本发明是在做芯片的时候做，低温下进行，化学性较好。 

附图说明

本发明的目的、优点和特点，将通过下面优选实施例的非限制性说明进行图示和解释。这些实施例仅是应用本发明技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案，均落在本发明要求保护的范围之内。这些附图当中， 

图1是本形成P型重掺杂的方法的实施示意图。