[发明专利]影像传感器有效
申请号: | 201010554662.5 | 申请日: | 2010-11-17 |
公开(公告)号: | CN102468310A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 黄维国;姚裕源 | 申请(专利权)人: | 联咏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 传感器 | ||
1.一种影像传感器,包括:
基底,具有第一表面;
深阱层,位于该基底内;
多个第一感测单元,位于该第一表面与该深阱层之间;
多个第二感测单元,位于该第一表面与该深阱层之间;以及
多个第三感测单元,位于该第一表面与该深阱层之间,其中该深阱层分布于各该第一感测单元下方的部分的面积与各该第一感测单元的面积的比例为一第一面积比,该深阱层分布于各该第二感测单元下方的部分的面积与各该第二感测单元的面积的比例为一第二面积比,该深阱层分布于各该第三感测单元下方的部分的面积与各该第三感测单元的面积的比例为一第三面积比,该第一面积比大于该第二面积比与该第三面积比。
2.如权利要求1所述的影像传感器,其中该第一感测单元的感测波长小于该第二感测单元的感测波长与该第三感测单元的感测波长。
3.如权利要求1所述的影像传感器,其中该第二面积比大于与该第三面积比。
4.如权利要求3所述的影像传感器,其中该该第二感测单元的感测波长小于该第三感测单元的感测波长。
5.如权利要求1所述的影像传感器,还包括滤光层,配置于该基板的该第一表面上,其中该滤光层具有多个第一滤光单元、多个第二滤光单元与多个第三滤光单元,各该第一滤光单元位于一个该些第一感测单元上方,各该第二滤光单元位于一个该些第二感测单元上方,各该第三滤光单元位于一个该些第三感测单元上方。
6.如权利要求5所述的影像传感器,其中该些第一滤光单元允许蓝光通过,该些第二滤光单元允许绿蓝光通过,该些第三滤光单元允许红光通过。
7.如权利要求1所述的影像传感器,其中该第一面积比为1。
8.如权利要求1所述的影像传感器,其中各该第一感测单元、各该第二感测单元与各该第三感测单元分别包括第一型掺杂区与位于该第一型掺杂区的两侧的多个第二型掺杂阱。
9.如权利要求8所述的影像传感器,其中该些第一型掺杂区为N型掺杂区,该些第二型掺杂阱为P型掺杂阱。
10.如权利要求9所述的影像传感器,其中该深阱层为深P型掺杂阱层。
11.如权利要求8所述的影像传感器,其中任两个相邻的该些第一感测单元、该些第二感测单元与该些第三感测单元共享一个该些第二型掺杂阱。
12.如权利要求1所述的影像传感器,还包括浅沟槽隔离结构,位于该基底并用以隔离该些第一感测单元、该些第二感测单元与该些第三感测单元。
13.如权利要求1所述的影像传感器,其中该深阱层呈点状分布于该些第一感测单元下方。
14.如权利要求1所述的影像传感器,其中该深阱层包括互相平行的多个条状部分。
15.如权利要求1所述的影像传感器,其中该深阱层呈网状,该些第一感测单元、该些第二感测单元与该些第三感测单元位于该深阱层的多个网目上方。
16.如权利要求1所述的影像传感器,还包括表面掺杂层,位于该基底的该第一表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的