[发明专利]影像传感器

说明书

技术领域

本发明涉及一种传感器，且特别是涉及一种影像传感器。

背景技术

利用半导体制作工艺制作的影像传感器可用来感测投影至半导体基底的光线，例如是互补式金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，CMOS)。这些影像传感器利用感测单元阵列来接收光能量并转换为数字数据。然而，因为硅(silicon)基底对不同波长光的吸收深度不同，各感测单元之间会存在不同程度的串音问题。例如，硅基底吸收蓝光(450nm)90％光强度的吸收深度约1微米，此深度范围可完全落在感测单元的电场范围中。但是，硅基底吸收绿光(550nm)及红光(650nm)90％光强度的吸收深度分别达到约3.7微米及8微米，在硅基底的深处因光线产生的载流子已远离感测单元的电场范围，此时载流子的运动方式会以扩散为主而由邻近其它颜色的感测单元吸收。如此一来，就会造成各种颜色的感测单元无法吸收仅由对应的色光所产生的载流子，使得感应结果所对应的颜色不正确。

发明内容

本发明的目的在于提供一种影像传感器，可改善感测单元之间的串音现象。

本发明的另一目的在于提供一种影像传感器的制造方法，此方法所制造的影像传感器可改善感测单元之间的串音现象。

为达上述目的，本发明的影像传感器包括一基底、一深阱层、多个第一感测单元、多个第二感测单元与多个第三感测单元。深阱层位于基底内。第一感测单元、第二感测单元与第三感测单元位于基底的一第一表面与深阱层间。深阱层分布于各第一感测单元下方的部分的面积与各第一感测单元的面积的比例为一第一面积比。深阱层分布于各第二感测单元下方的部分的面积与各第二感测单元的面积的比例为一第二面积比。深阱层分布于各第三感测单元下方的部分的面积与各第三感测单元的面积的比例为一第三面积比。第一面积比大于第二面积比与第三面积比。

在本发明的影像传感器的一实施例中，第一感测单元的感测波长小于第二感测单元的感测波长与第三感测单元的感测波长。

在本发明的影像传感器的一实施例中，第二面积比大于与第三面积比。此外，第二感测单元的感测波长例如小于第三感测单元的感测波长。

在本发明的影像传感器的一实施例中，影像传感器还包括一滤光层，配置于基板的第一表面上。滤光层具有多个第一滤光单元、多个第二滤光单元与多个第三滤光单元。各第一滤光单元位于一个第一感测单元上方。各第二滤光单元位于一个第二感测单元上方。各第三滤光单元位于一个第三感测单元上方。此外，第一滤光单元例如允许蓝光通过，第二滤光单元允许绿光通过，第三滤光单元允许红光通过。

在本发明的影像传感器的一实施例中，第一面积比为1。

在本发明的影像传感器的一实施例中，各第一感测单元、各第二感测单元与各第三感测单元分别包括一第一型掺杂区与位于第一型掺杂区的两侧的多个第二型掺杂阱。此外，第一型掺杂区例如为N型掺杂区，第二型掺杂阱为P型掺杂阱。另外，深阱层例如为深P型掺杂阱层。再者，任二相邻的第一感测单元、第二感测单元与第三感测单元例如共享一个第二型掺杂阱。

在本发明的影像传感器的一实施例中，影像传感器还包括一浅沟槽隔离结构，位于基底并用以隔离第一感测单元、第二感测单元与第三感测单元。

在本发明的影像传感器的一实施例中，深阱层呈点状分布于第一感测单元下方。

在本发明的影像传感器的一实施例中，深阱层包括互相平行的多个条状部分。

在本发明的影像传感器的一实施例中，深阱层呈网状，第一感测单元、第二感测单元与第三感测单元位于深阱层的多个网目上方。

在本发明的影像传感器的一实施例中，影像传感器还包括一表面掺杂层(pinned layer)，位于基底的第一表面。

基于上述，本发明影像传感器利用感测单元下方的深阱层的分布方式而限制载流子的运动，因此可改善感测单元之间的串音现象。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

图1是本发明一实施例的影像传感器的剖示图；

图2A至图2G为本发明七种实施例的深阱层的上视图；

图3至图7为本发明一实施例的影像传感器的制造方法的部分流程剖示图。

主要组件符号说明

100：影像传感器

110：基底

112：第一表面

120、120A、120B、120C、120D、120E、120F、120G：深阱层