[发明专利]一种镧基高介电常数薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种氧化镧薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：

将清洗后的半导体衬底装入原子层淀积反应腔；

将原子层淀积反应腔加热至工艺所需温度300-450℃；

将原子层淀积反应腔升至工艺所需压强0.5-5torr；

进行多个周期的原子层淀积氧化镧薄膜工艺，形成所需厚度的氧化镧薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的半导体衬底为Si、Ge、Ge_xSi_1-x或GaAs。

3.根据权利要求1所述的氧化镧薄膜的制备方法，其特征在于，所述的原子层淀积氧化镧薄膜工艺的一个周期包括：

将加热固态反应前躯体La(thd)₃挥发出的气体以脉冲形式引入原子层淀积反应腔；所述挥发的La(thd)₃气体的脉冲时间为2-10秒；

将非活性气体以脉冲形式引入原子层淀积反应腔，清除原子层淀积反应腔中未反应的金属有机前驱体和副产物；所述两次非活性气体的脉冲时间均为2-30秒；

将双氧水蒸气以脉冲形式引入原子层淀积反应腔；所述双氧水蒸气的脉冲时间为2-10秒；

将非活性气体以脉冲形式引入原子层淀积反应腔，清除原子层淀积反应腔中未反应的双氧水蒸气和副产物；所述两次非活性气体的脉冲时间均为2-30秒。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述的非活性气体为氮气、氩气或氦气。

5.一种镧基高介电常数混合薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：

采用如权利要求1—4之一所述制备方法，形成所需厚度的氧化镧薄膜；

然后，继续进行多个周期的原子层淀积高介电常数材料薄膜工艺，形成所需厚度的高介电常数材料薄膜。

6.根据权利要求5所述的镧基高介电常数混合薄膜的制备方法，其特征在于，所述的高介电常数材料为Ta₂O₅、Pr₂O₃、HfO₂、Al₂O₃或ZrO₂。