[发明专利]采用单源分子前驱体制备高品质硫化锡纳米片的方法无效

专利信息
申请号: 201010557478.6 申请日: 2010-11-24
公开(公告)号: CN102476825A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 张永才;杜珍妮;张明 申请(专利权)人: 扬州大学
主分类号: C01G19/00 分类号: C01G19/00;B82Y40/00
代理公司: 南京中新达专利代理有限公司 32226 代理人: 孙鸥;朱杰
地址: 225009 *** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 采用 分子 前驱 体制 品质 硫化 纳米 方法
【权利要求书】:

1.采用单源分子前驱体制备高品质硫化锡纳米片的方法,其步骤为:

(1)将结晶四氯化锡加入到无水乙醇溶解,配成四氯化锡溶液;

(2)将二乙基二硫代氨基甲酸钠粉末,加无水乙醇溶解,配成二乙基二硫代氨基甲酸钠溶液;

(3)将步骤(1)配制的四氯化锡溶液在常温下且搅拌下缓慢加入到步骤(2)配制的二乙基二硫代氨基甲酸钠溶液中,并在常温下保持搅拌一段时间,然后将沉淀物抽滤,在60℃干燥,即得到单源分子前驱体Sn-(DDTC)4

(4)将步骤(3)得到的单源分子前驱体Sn-(DDTC)4放入高压釜中,再加入2.5%-10%醋酸水溶液作为溶剂;

(5)将高压釜密封后置于电烘箱中,在180℃下加热24小时,停止加热后自然冷却;

(6)将步骤(5)所得到的沉淀物抽滤,用去离子水和无水乙醇洗涤数次,再在60℃干燥后即得到黄色硫化锡粉末。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州大学,未经扬州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010557478.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top