[发明专利]射频工艺中射频隔离度的表征方法

权利要求书

1.一种射频工艺中射频隔离度的表征方法，包括步骤：

(1)设计表征射频隔离度的测试图形时，设计两个分别位于系统级芯片电路数字区域和射频区域的射频信号发送端口及接受端口；

(2)在射频信号发送端口周围设计一圈隔离环；

(3)在完成步骤(1)和步骤(2)设计后的测试图形基础上，再分别设计三组版图结构，包括：用于射频测试的连线结构、以及用于射频去嵌的“开路”和“直通”结构；

(4)进行S参数测试或者射频功率的输入功率输出功率测试，得到射频隔离度。

2.如权利要求1所述的射频工艺中射频隔离度的表征方法，其特征在于：所述步骤(1)中，射频信号发送端口及接受端口的边长为10μm～30μm。

3.如权利要求2所述的射频工艺中射频隔离度的表征方法，其特征在于：所述射频信号发送端口及接受端口的形状为正方形。

4.如权利要求2所述的射频工艺中射频隔离度的表征方法，其特征在于：所述步骤(1)中，射频信号发送端口及接受端口在硅锗双极互补金属氧化物半导体工艺中，射频信号发送端口位于N型金属氧化物半导体场效应管的衬底引出端，而射频信号接受端口位于硅锗异质结双极晶体管的集电极引出端。

5.如权利要求1所述的射频工艺中射频隔离度的表征方法，其特征在于：所述步骤(2)中，隔离环的宽度、隔离环到射频信号发送端口及接受端口的距离为：

设计规则允许的最小尺寸≤隔离环的宽度≤10μm；

设计规则允许的最小尺寸≤隔离环到射频信号发送端口的距离≤50μm；

设计规则允许的最小尺寸≤隔离环到射频信号接受端口的距离≤50μm。

6.如权利要求5所述的射频工艺中射频隔离度的表征方法，其特征在于：所述隔离环的宽度、隔离环到射频信号发送端口及接受端口的距离为：

1.2μm≤隔离环的宽度≤10μm；

0.5μm≤隔离环到射频信号发送端口的距离≤50μm；

0.5μm≤隔离环到射频信号接受端口的距离≤50μm。

7.如权利要求5所述的射频工艺中射频隔离度的表征方法，其特征在于：所述步骤(2)中的隔离环，在硅锗双极互补金属氧化物半导体工艺中，是通过深槽工艺来实现。

8.如权利要求1所述的射频工艺中射频隔离度的表征方法，其特征在于：所述步骤(3)中，射频信号发送端口及接受端口通过接触孔和金属布线与射频测试的连线结构相连接。

9.如权利要求1所述的射频工艺中射频隔离度的表征方法，其特征在于：所述步骤(4)中，S参数的测试利用矢量网络分析仪进行测试；射频功率的输入功率输出功率测试利用射频信号发生器和频谱分析仪进行测试；

射频隔离度的计算公式为：以dB为单位的射频隔离度＝20×log10(S21)＝以dBm为单位的输出功率-以dBm为单位的输入功率，其中，S21为从射频信号发送端口到接受端口的射频传输系数。