[发明专利]晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 201010560081.2 | 申请日： | 2010-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102479710A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制作方法 | ||
1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成支柱；
在所述支柱的侧壁形成隔离层；
形成覆盖所述半导体衬底和支柱的外延层，所述外延层的厚度大于所述支柱的高度；
在外延层表面形成栅极结构，所述栅极结构位于所述支柱上方；
在所述栅极结构两侧的外延层内形成源区和漏区，所述源区和漏区位于所述支柱和隔离层的两侧。
2.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述支柱的材质为半导体材质或绝缘材质。
3.如权利要求3所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述支柱的材质为多晶硅，支柱的制作方法包括：
在所述半导体衬底上形成多晶硅层；
刻蚀所述多晶硅层，形成所述支柱。
4.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述隔离层的材质
为氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮化硅。
5.如权利要求1所述晶体管的制作方法，其特征在于，所述隔离层的厚度范围为3～30纳米。
6.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述支柱的宽度范围为5纳米～1微米。
7.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述外延层的厚度比所述支柱的高度高20～100纳米。
8.一种晶体管，其特征在于，包括：
半导体衬底；
外延层，位于所述半导体衬底上；
栅极结构，位于所述外延层上；
支柱，位于所述栅极结构下方的外延层内，所述支柱的高度小于所述外延层的厚度；
隔离层，位于所述支柱的侧壁；
源区，位于所述支柱和隔离层一侧的外延层内；
漏区，位于所述支柱和隔离层另一侧的外延层内。
9.如权利要求8所述的晶体管，其特征在于，所述支柱的材质为半导体材质、绝缘材质。
10.如权利要求8所述的晶体管，其特征在于，所述隔离层的材质为氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮化硅。
11.如权利要求8所述晶体管，其特征在于，所述隔离层的厚度范围为3～30纳米。
12.如权利要求8所述的晶体管，其特征在于，所述支柱的宽度范围为5纳米～1微米。
13.如权利要求8所述的晶体管，其特征在于，所述外延层的厚度比所述支柱的高度高20～100纳米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
