[发明专利]相变存储器深沟槽隔离结构及制作方法有效
| 申请号： | 201010560166.0 | 申请日： | 2010-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102479740A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 李凡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 深沟 隔离 结构 制作方法 | ||
1.一种相变存储器深沟槽隔离结构制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有深沟槽；
在所述深沟槽内形成填充层，且所述填充层厚度小于所述深沟槽深度；
在所述深沟槽顶部的两侧侧壁形成侧墙，且所述深沟槽两侧侧壁内的侧墙之间具有暴露所述填充层的空隙；
去除所述填充层；
形成覆盖所述半导体衬底、且填充所述侧墙之间间隙的介质层；
平坦化所述介质层，直至露出半导体衬底。
2.如权利要求1所述的相变存储器深沟槽隔离结构制作方法，其特征在于，所述填充层为可灰化薄膜，所述填充层深650～1300nm。
3.如权利要求2所述的相变存储器深沟槽隔离结构制作方法，其特征在于，所述可灰化薄膜的材料为非晶质碳、类金刚碳、有机抗反射涂层。
4.如权利要求1所述的相变存储器深沟槽隔离结构制作方法，还包括：与深沟槽隔离结构交叉排列的浅沟槽隔离结构。
5.如权利要求4所述的相变存储器深沟槽隔离结构制作方法，其特征在于，所述深沟槽未被填充部分的深度大于浅沟槽深度0～100nm。
6.如权利要求1所述的相变存储器深沟槽隔离结构制作方法，其特征在于，去除所述填充层为O2或CO2气体，气压为6～14Pa。
7.如权利要求1所述的相变存储器深沟槽隔离结构制作方法，其特征在于，所述侧墙为氧化物薄膜，所述侧墙厚度为
8.如权利要求1所述的相变存储器深沟槽隔离结构制作方法，其特征在于，所述深沟槽的形成工艺为各向异性干法刻蚀。
9.如权利要求8所述的相变存储器深沟槽隔离结构制作方法，其特征在于，所述深沟槽宽为65～80nm，深为1.5～2μm。
10.一种如权利要求1～9所述的任一项制作方法形成的相变存储器深沟槽隔离结构，其特征在于，包括：
半导体衬底；
位于半导体衬底内的深沟槽；
位于所述深沟槽顶部两侧侧壁内的侧墙，且所述深沟槽两侧侧壁内的侧墙之间具有间隙；
填充所述深沟槽两侧侧壁的侧墙之间间隙的介质层；
位于所述深沟槽底部与所述侧墙和所述介质层之间的空腔。
11.如权利要求10所述的相变存储器深沟槽隔离结构，其特征在于，所述深沟槽宽为65～80nm，深为1.5～2μm。
12.如权利要求10所述的相变存储器深沟槽隔离结构，其特征在于，所述深沟槽两侧侧壁内的侧墙为氧化物薄膜，厚度为所述深沟槽两侧侧壁内的侧墙之间间隙为3～10nm。
13.如权利要求10所述的相变存储器深沟槽隔离结构，其特征在于，所述空腔深650～1300nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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