[发明专利]一种GaAs衬底AlGaInP发光二极管的制备方法无效
| 申请号： | 201010563296.X | 申请日： | 2010-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102468382A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 肖志国;林晓文;高百卉;武胜利 | 申请（专利权）人： | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B28D5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116025 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 衬底 algainp 发光二极管 制备 方法 | ||
1.一种GaAs衬底AlGaInP发光二极管的制备方法，在进行半切之前按照正常的工艺流程进行制作电极、研磨、背镀、金属融合步骤，其特征在于，半切时步骤如下：
(1)将芯片的背面黏附在粘片机上，粘片的温度为常温，然后上片至接触划片式切割机上；
(2)正面透切掉上、下、左、右四边的不良品，得到了为背面透切做准备的基准线，透切的条件为切透蓝膜至少10um；
(3)按照正常工艺做正面半切，正面半切的深度为40-80um；
(4)下片以及测试；
(5)将芯片的正面黏附在粘片机上，粘片温度为55℃，然后上片至接触划片的切割机上；
(6)以上、下两条水平边为基准线，切入的深度值比整个芯片厚度少至少10um；
(7)水平方向全部透切完成后，将芯片旋转90℃，再以左、右两条平边为基准线，完成垂直方向的全部透切。
2.根据权利要求1所述的GaAs衬底AlGaInP发光二极管的制备方法，其特征在于步骤(2)中所述正面透切为切透蓝膜20-30um。
3.根据权利要求1所述的GaAs衬底AlGaInP发光二极管的制备方法，其特征在于步骤(3)中正面半切的深度为40um。
4.根据权利要求1所述的GaAs衬底AlGaInP发光二极管的制备方法，其特征在于步骤(6)中按厚度190um的芯片计算，透切的深度为140-180um。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的GaAs衬底AlGaInP发光二极管的制备方法，其特征在于步骤(6)和(7)中所述透切的刀速为40mm/s。
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