[发明专利]一种GaAs衬底AlGaInP发光二极管的制备方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体器件技术领域，涉及AlGaInP发光二极管的制备方法。

背景技术

固态照明技术是在二十一世纪具有产业革命意义的重大技术，在世界范围内，从政府到企业都引起了很大的关注，固态照明技术的主要内容是半导体发光二极管器件在照明产业中的应用。超高亮度LED可以覆盖整个可见光谱范围，AlGaInP发光二极管在黄绿、橙色、橙红色、红色波段性能优越，在RGB白光光源、全色显示、交通信号灯、城市亮化工程等领域具有广阔的应用前景。

提高发光二极管的发光效率一直是技术追求的目标，通过提高外延材料的质量，通过布拉格反射体减少砷化镓衬底对光的吸收、表面粗化、厚的电流扩展层以及在电极下方设置不导电的电流阻挡层等，这些对提高发光二极管的出光效率都有很好的效果。

但是，对GaAs衬底的AlGaInP发光二极管，可以同时具有提高出光效率、提高良率、节省成本的方法，很少有人提及，影响良率的问题主要表现在，透切时背崩严重，即使降低刀速也避免不了，并且很难控制。

鉴于此，有必要提供一种切割方法能够有效的减少背崩问题，提高出光效率，节省成本。

发明内容

为了克服上述缺陷，本发明提供了一种GaAs衬底AlGaInP发光二极管的制备方法：采用接触划片式的透切方式，从芯片的背面做透切，有效提高切割速度的同时，减少正表面损失，减少了背崩。

本发明的技术方案为：在进行半切之前按照正常的工艺流程进行制作电极、研磨、背镀、金属融合步骤，半切时步骤如下：

(1)将芯片的背面黏附在粘片机上，粘片的温度为常温，然后上片至接触划片式切割机上；

(2)正面透切掉上、下、左、右四边的不良品，得到了为背面透切做准备的基准线，透切的条件为切透蓝膜至少10um；

(3)按照正常工艺做正面半切，正面半切的深度为40-80um；

(4)下片以及测试；

(5)将芯片的正面黏附在粘片机上，粘片温度为55℃，然后上片至接触划片的切割机上；

(6)以上、下两条水平边为基准线，按厚度190um的芯片计算，透切的深度为140-180um；

(7)水平方向全部透切完成后，将芯片旋转90℃，再以左、右两条平边为基准线，完成垂直方向的全部透切。

其中，步骤(2)中所述正面透切时，切透蓝膜的厚度优选为20-30um；

步骤(3)中正面半切的深度优选为40um；

步骤(6)中切入的深度值优选为比整个芯片厚度少至少10um；

步骤(6)和(7)中所述透切的刀速为40mm/s。

本发明采用背面透切方法，能够减少正表面的发光面积的损失，增加发光二极管的出光效率，亮度可提升3％-7％；本发明采用背面透切的方法，切割速度从原来的30mm/s提升到40mm/s，提高了30％的生产效率；可以减少2～3次翻转所需要的费用，有效降低了成本。

本发明透切掉上、下、左、右四边的不良品，一方面可以得到背面透切时需要的基准线，一方面减少了不良品的测试时间，同时减少了不良品点墨的成本。

附图说明

图1：背切时基准线的选取示意图

图2：透切前的侧视图

其中：001为透切时的基准线，002为发光二极管芯片，003为边缘的不良品，004为P面电极，005为电流扩展层，006为发光层，007为反射镜，008为正面半切切痕，009为背面透切切痕，010为GaAs衬底，011为N面电极。

具体实施方式

实施例1

本发明的技术方案为：在半切以前均按照正常的工艺流程制作，其余按照如下步骤完成：

(1)：将芯片的背面黏附在粘片机上，粘片的温度为常温，然后上片至接触划片式切割机上；

(2)：正面透切掉上、下、左、右四边的不良品，得到了为背面透切做准备的基准线，透切的条件为切透蓝膜20-30um；

(3)：按照正常工艺做正面半切，正面半切的深度为80um；

(4)：下片以及测试；

(5)：将芯片的正面黏附在粘片机上，粘片温度为55℃，然后上片至接触划片的切割机上；

(6)：以上、下两条水平边为基准线，按厚度190um的芯片计算，透切的深度为140um；

(7)：水平方向全部透切完成后，将芯片旋转90℃，再以左右两条平边为基准线，完成垂直方向的全部透切。