[发明专利]半导体封装件的制造方法及制造其的封装模具有效

专利信息
申请号: 201010564544.2 申请日: 2010-11-16
公开(公告)号: CN102064118A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 陈天赐;陈光雄;王圣民;冯相铭;李育颖;郑秉昀 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L23/34;H01L23/28;H01L21/56
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈亮
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 制造 方法 模具
【权利要求书】:

1.一种半导体封装件的制造方法,包括:

提供一散热片;

提供一待封装元件,该待封装元件包括一基板及多个半导体元件,该些半导体元件设于该基板上;

形成一封装体于该散热片与该待封装元件之间,其中该封装体包覆该些半导体元件;

形成多道第一切割狭缝,其中该些第一切割狭缝经过该散热片及该封装体的一部分;以及

形成多道第二切割狭缝,其中该些第二切割狭缝经过该基板及该封装体的其余部分并延伸至对应的该第一切割狭缝。

2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,在提供该散热片的该步骤之后,该制造方法还包括:

对该散热片进行一喷砂作业,以使该散热片形成一粗糙化表面。

3.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,还包括:

提供一封装模具,其中该封装模具具有一模穴;

设置该散热片至该模穴内,其中,该散热片受到一真空吸力的吸附而固定于该模穴内;以及

设置该待封装元件至该封装模具的该模穴内。

4.如权利要求3所述的制造方法,其特征在于,于提供该散热片的该步骤中,该散热片定义多个散热单元;于设置该待封装元件至该封装模具的该模穴内的该步骤中,该些散热单元的位置对应于该些半导体元件;于形成该些第一切割狭缝的该步骤中,该些第一切割狭缝沿着该些散热单元的边缘形成。

5.如权利要求3所述的制造方法,其特征在于,于提供该散热片的该步骤中,该散热片具有多个切槽,该些切槽的分布定义该些散热单元;于形成该些第一切割狭缝的该步骤中,该些第一切割狭缝沿着该些切槽的延伸方向形成。

6.如权利要求3所述的制造方法,其特征在于,于设置该待封装元件至该封装模具的该模穴内的该步骤中,该封装模具具有一第一定位件,该待封装元件具有一第二定位件,该待封装元件藉由该第一定位件与该第二定位件的结合而定位于该封装模具。

7.如权利要求6所述的制造方法,其特征在于,该第一定位件与该第二定位件中的一者定位销,该第一定位件与该第二定位件中的另一者是定位孔。

8.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,各该第一切割狭缝的宽度与对应的该第二切割狭缝的宽度相异。

9.一种半导体封装件的制造方法,包括:

提供一散热片;

提供一封装模具,其中该封装模具具有一模穴及一第一定位件;

设置该散热片至该模穴内;

设置一待封装元件至该封装模具的该模穴内,其中该待封装元件包括一基板及多个半导体元件,该些半导体元件设于该基板上,该待封装元件并具有一第二定位件,该待封装元件藉由该第一定位件与该第二定位件的结合而定位于该封装模具;

形成一封装体于该散热片与该待封装元件之间,其中该封装体包覆该些半导体元件;

形成多道第一切割狭缝,其中该些第一切割狭缝经过该散热片及该封装体的一部分;

形成多道第二切割狭缝,其中该些第二切割狭缝经过该基板及该封装体的其余部分并延伸至对应的该第一切割狭缝。

10.如权利要求9所述的制造方法,其特征在于,于提供该散热片的该步骤之后,该制造方法还包括:

对该散热片进行一喷砂作业,以使该散热片形成一粗糙化表面。

11.如权利要求9所述的制造方法,其特征在于,于提供该散热片的该步骤中,该散热片定义多个散热单元;于设置该待封装元件至该封装模具的该模穴内的该步骤中,该些散热单元的位置对应于该些半导体元件。

12.如权利要求11所述的制造方法,其特征在于,于提供该散热片的该步骤中,该散热片系具有多个切槽,该些切槽的分布定义该些散热单元;于形成该些第一切割狭缝的该步骤中,该些第一切割狭缝系沿着该些切槽往该封装体的延伸方向形成。

13.一种封装模具,适用于封装一待封装元件,该待封装元件具有一第二定位件,该封装模具包括:

一模具本体,具有一模穴;以及

一第一定位件,设于该模具本体上;

其中,该待封装元件藉由该第一定位件与该第二定位件的结合而定位于该封装模具。

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