[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201010565095.3 | 申请日： | 2010-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102479715A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;沈满华;孙武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，所述半导体基底上形成有NMOS晶体管；
形成张应力层，覆盖所述NMOS晶体管；
在所述NMOS晶体管的栅电极上方的张应力层中形成开口；
对所述半导体基底进行退火；
去除所述张应力层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述开口沿所述NMOS晶体管的沟道宽度方向的长度与所述NMOS晶体管的沟道宽度成反比。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述开口沿所述NMOS晶体管的沟道宽度方向的长度与(L/W)*L成正比，其中，L为所述NMOS晶体管的沟道长度，W为所述NMOS晶体管的沟道宽度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述开口的深度与所述NMOS晶体管的沟道宽度成反比。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述开口的形状可以是矩形或椭圆形。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述张应力层的材料为氮化硅。
7.根据权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述张应力层的形成方法为等离子增强型化学气相沉积或高密度等离子增强型化学气相沉积。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述开口的形成方法为干法刻蚀。
9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，使用干法刻蚀和/或湿法刻蚀去除所述张应力层。
10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体基底上还形成有PMOS晶体管，所述形成张应力层包括：
形成张应力层，覆盖所述PMOS晶体管和NMOS晶体管；
在所述张应力层上形成光刻胶层并图形化，定义出所述NMOS晶体管的图形；
以所述图形化后的光刻胶层为掩膜进行刻蚀，去除所述PMOS晶体管表面的张应力层。
11.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述NMOS晶体管的表面还形成有衬垫层和刻蚀阻挡层，所述张应力层形成于所述刻蚀阻挡层之上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
