[发明专利]芯片薄膜的生成方法及生成芯片薄膜的载体无效
| 申请号： | 201010565252.0 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102479678A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 李国延 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/458;H01L21/683 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518029 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 薄膜 生成 方法 载体 | ||
1.一种芯片薄膜的生成方法，包括以下步骤：
将芯片放置在半导体材料制成的衬片的承载面上，所述芯片与衬片相接触的面为接触面，且所述衬片的承载面的面积大于所述芯片的接触面的面积；
采用等离子增强型化学气相沉积法对所述芯片进行处理生成芯片薄膜。
2.根据权利要求1所述的芯片薄膜的生成方法，其特征在于，所述衬片厚度为300～500微米。
3.根据权利要求1所述的芯片薄膜的生成方法，其特征在于，所述衬片的电阻率小于1欧姆厘米。
4.根据权利要求1所述的芯片薄膜的生成方法，其特征在于，所述芯片放置在所述衬片上后，所述芯片的接触面的边缘与衬片的承载面的边缘之间的距离为5～10毫米。
5.根据权利要求1所述的芯片薄膜的生成方法，其特征在于，在所述采用等离子增强型化学气相沉积法对所述芯片进行处理生成芯片薄膜步骤前，还包括将所述衬片放置在射频负载上的步骤。
6.根据权利要求5所述的芯片薄膜的生成方法，其特征在于，所述射频负载为石墨材料制成。
7.根据权利要求6所述的芯片薄膜的生成方法，其特征在于，所述衬片的电阻率为1～100欧姆厘米。
8.一种生成芯片薄膜的载体，其特征在于，所述载体包括半导体材料制成的衬片。
9.根据权利要求8所述的生成芯片薄膜的载体，其特征在于，所述载体还包括石墨材料制成的射频负载，所述衬片放置在所述射频负载上。
10.根据权利要求8所述的生成芯片薄膜的载体，其特征在于，所述衬片厚度为300～500微米，所述衬片的电阻率为1～100欧姆厘米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
