[发明专利]芯片薄膜的生成方法及生成芯片薄膜的载体

说明书

【技术领域】

本发明涉及半导体工艺领域，特别涉及一种芯片薄膜的生成方法及生成芯片薄膜的载体。

【背景技术】

在半导体领域，根据不同的需要，生成芯片Si₃N₄薄膜的方式通常有两种，一种是常压高温(700～900摄氏度)直接由NH₃和Si₃H₄反应合成；另一种是通过等离子体的增强作用，在低压(1.2～2.0毫米汞柱)和低温(300～400摄氏度)由NH₃和Si₃H₄反应合成，即等离子增强型化学气相沉积法(PECVD)。

在等离子增强型化学气相沉积法中，采用的射频负载的形式多种多样，射频的频率也从50KHZ～13.56MHZ不等，甚至采用多个不同频率组合，这样可获得不同的薄膜性质。然而，采用等离子增强型化学气相沉积法生成芯片薄膜，由于边缘电场的畸变，使得生成的芯片薄膜边缘的厚度明显小于中心厚度，导致芯片薄膜边缘出现色圈，如图1所示，1为芯片薄膜，2为芯片薄膜边缘色圈。

【发明内容】

基于此，有必要提供一种芯片薄膜的生成方法，消除生成芯片薄膜的边缘色圈。

一种芯片薄膜的生成方法，包括以下步骤：

将芯片放置在半导体材料制成的衬片的承载面上，所述芯片与衬片相接触的面为接触面，且所述衬片的承载面的面积大于所述芯片的接触面的面积；

采用等离子增强型化学气相沉积法对所述芯片进行处理生成芯片薄膜。

优选地，所述衬片厚度为300～500微米。

优选地，所述衬片的电阻率小于1欧姆厘米。

优选地，所述芯片放置在所述衬片上后，所述芯片的接触面的边缘与衬片的承载面的边缘之间的距离为5～10毫米。

优选地，在所述采用等离子增强型化学气相沉积法对所述芯片进行处理生成芯片薄膜步骤前，还包括将所述衬片放置在射频负载上的步骤。

优选地，所述射频负载为石墨材料制成。

优选地，所述衬片的电阻率为1～100欧姆厘米。

此外，还有必要提供一种生成芯片薄膜的载体，消除生成芯片薄膜的边缘色圈。

一种生成芯片薄膜的载体，所述载体包括半导体材料制成的衬片。

优选地，所述载体还包括石墨材料制成的射频负载，所述衬片放置在所述射频负载上。

优选地，所述衬片厚度为300～500微米，所述衬片的电阻率为1～100欧姆厘米。

上述芯片薄膜的生成方法及生成芯片薄膜的载体，采用将芯片放置在半导体材料制成的衬片上，且衬片的承载面的面积大于芯片的接触面的面积，使得采用等离子增强型化学气相沉积法处理芯片生成芯片薄膜时，芯片边缘不会出现明显的电场畸变，从而保证了芯片薄膜的厚度一致，不会出现色圈，影响芯片表面应力和可靠性。

【附图说明】

图1为现有生成的芯片薄膜的表面状态示意图；

图2为一个实施例中芯片薄膜的生成方法流程图；

图3为采用图2生成的芯片薄膜的表面状态示意图。

【具体实施方式】

下面结合具体的实施例及附图对技术方案进行详细描述。

如图2所示，一种芯片薄膜的生成方法，包括以下步骤：

步骤S10，将芯片放置在半导体材料制成的衬片的承载面上，该芯片与衬片相接触的面为接触面，且该衬片的承载面的面积大于该芯片的接触面的面积。

步骤S10中，芯片采用半导体硅材料制成。衬片也采用半导体硅材料。该芯片与衬片相接触的面为接触面，衬片与芯片相接触的面为承载面，且衬片的承载面的面积大于芯片的接触面的面积。衬片的厚度为300～500微米。芯片的接触面的边缘与衬片的承载面的边缘之间的距离为5～10毫米，保证衬片有足够的空间使芯片处于没有发生畸变的电场中。衬片也可采用与芯片材料的电特性相似的其他半导体材料制成，如芯片采用半导体硅材料，衬片可采用半导体锗材料。该衬片可以专门定做，也可用大于芯片的报废芯片加工而成，例如四英寸芯片就使用五英寸的报废芯片加工的衬片进行生产，这样可以进一步降低生产成本。

步骤S20，采用等离子增强型化学气相沉积法对该芯片进行处理生成得到芯片薄膜。