[发明专利]晶片毛刷清洗装置及晶片毛刷清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造领域，特别涉及一种晶片毛刷装置及晶片毛刷清洗方法。

背景技术

化学机械抛光(chemical mechanical polishing，简称CMP)技术是机械削磨和化学腐蚀的组合技术，其借助超微粒子(例如二氧化硅粒子，氧化铝粒子)的研磨作用以及化学溶液的腐蚀作用在研磨的晶片表面上形成光洁平坦平面。在CMP工艺之后，超微粒子会附着在被抛光晶片上，成为污染物粒子，必须从晶片表面完全去除以保持电子器件的可靠性和生产线的清洁度。

通常情况下，CMP后的晶圆是在酸性(例如以氢氟酸为主要清洗剂)或者碱性(例如氨水为主要清洗剂)的清洗溶液中进行一定时间的浸泡清洗，然后去离子水清洗。但所述清洗溶液的浸泡时间不宜过长，若时间过长，将造成对晶片的腐蚀损伤。公开号为CN1281588A的中国专利申请文件描述了一种在CMP后从晶片表面上清除污染物粒子的工艺。

具体的CMP后清洗工艺还包括溶液清洗槽清洗后的毛刷清洗、甩干及烘烤。即在短时间的浸泡清洗之后，通过机械臂将浸泡于清洗溶液中的晶片取出，继续后续的毛刷清洗等流程。

如图1，为现有技术对所述晶片进行毛刷清洗示意图，包括：晶片010、用于固定所述晶片010的固定装置011、及位于晶片010两侧的毛刷020。所述毛刷020为圆柱形，所述圆柱形毛刷020的中轴线平行于所述晶片010的一条直径，所述毛刷020围绕所述中轴线进行旋转，以对所述晶片010进行刷洗，同时，所述晶片020进行圆周运动，以使得位于晶片上不同的位置均可进行毛刷清洗。

如图2所示，为所述毛刷020的结构示意图，所述毛刷020的表面上具有若干数目的突起022，所述突起022可以加大刷洗力度，提高清洗效果。

但是，通过现有技术进行刷洗之后，所述晶片圆心位置的器件区域会受到较大的磨损。

发明内容

本发明提供一种晶片毛刷装置及晶片毛刷清洗方法，避免毛刷与晶片中心区域过多接触，对所述晶片中心区域造成损伤，提高晶片的良率。

本发明提供一种晶片毛刷清洗装置，包括：

固定待清洗晶片的固定装置、位于所述待清洗晶片一侧或两侧的毛刷、及与所述毛刷连接的驱动装置，所述驱动装置用于驱使毛刷沿与所述待清洗晶片表面平行的方向运动，以对待清洗晶片的表面进行刷洗。

可选的，还包括承载所述毛刷两端的支架，所述支架具有沟槽，所述毛刷的两端通过沟槽与支架连接。

可选的，所述毛刷表面具有若干数目的突起，毛刷通过所述突起与晶片接触，对晶片进行清洗。

可选的，所述毛刷数目为2个，分别与所述待清洗晶片的两个表面接触，所述支架数目为4个，分别用于承载毛刷的两端。

可选的，所述毛刷包括毛刷本体，及与所述毛刷本体连接的支杆。

可选的，所述毛刷通过支杆与支架上的沟槽连接。

可选的，所述支杆与驱动装置连接，在驱动装置的驱动下，所述支杆沿沟槽轨道方向运动。

可选的，所述毛刷本体连接有第二驱动装置，通过所述第二驱动装置，所述毛刷本体围绕所述支杆旋转。

可选的，所述毛刷本体表面形成有若干数目的突起。

可选的，所述待清洗晶片与第三驱动装置连接，通过第三驱动装置使所述待清洗晶片旋转，所述旋转轴通过晶片圆心，且与所述晶片垂直。

本发明还提供一种所述晶片毛刷清洗装置的晶片毛刷清洗方法，包括：

提供晶片毛刷清洗装置及待清洗的晶片，将待清洗晶片固定在晶片固定装置上；

启动驱动装置，使所述毛刷沿与所述待清洗晶片表面平行的方向运动，对所述待清洗晶片进行刷洗。

可选的，启动第二驱动装置，使所述毛刷本体以支杆为转轴旋转。

可选的，启动第三驱动装置，使所述待清洗晶片旋转，所述旋转轴通过晶片圆心，且与所述晶片垂直。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：通过驱动装置使所述毛刷沿与晶片表面平行的，使毛刷的刷洗范围可以均匀覆盖晶片的整个区域，避免晶片的中心区域与毛刷过度接触，造成晶片中心区域的损伤；

还可以通过可以第二驱动装置，使所述毛刷本体沿支杆进行旋转，提高清洗效果及均匀性；

进一步地，通过第三驱动装置，使所述晶片进行旋转，提高清洗效果及均匀性。

附图说明

图1至图3为现有技术的晶片毛刷清洗装置结构示意图。

图4为现有技术造成的晶片中心区域受损示意图。