[发明专利]电子照相感光构件和电子照相设备

权利要求书

1.一种电子照相感光构件，该电子照相感光构件包括：

导电性基体；

在所述导电性基体上的光导电层；和

在所述光导电层上由氢化非晶碳化硅制成的表面层，

其中在所述表面层中碳原子数(C)与硅原子数(Si)和碳原子数(C)的总和之比(C/(Si+C))为0.61以上至0.75以下，

在所述表面层中硅原子的密度和碳原子的密度的总和为6.60×10²²原子/cm³以上，和

由JIS B0601：2001规定的所述表面层的算术平均粗糙度Ra为0.029μm以上至0.500μm以下。

2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中由JIS B0601：2001规定的所述表面层的算术平均粗糙度Ra为0.050μm以上至0.200μm以下。

3.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中由JIS B0601：2001规定的所述表面层的十点平均粗糙度Rzjis为0.100μm以上至2.000μm以下，和由JIS B0601：2001规定的所述表面层的粗糙度曲线要素的平均长度Rsm为1.0μm以上至150.0μm以下。

4.根据权利要求3所述的电子照相感光构件，其中由JIS B0601：2001规定的所述表面层的十点平均粗糙度Rzjis为0.500μm以上至1.500μm以下，和由JIS B0601：2001规定的所述表面层的粗糙度曲线要素的平均长度Rsm为10.0μm以上至30.0μm以下。

5.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中由JIS B0601：2001规定的所述导电性基体的十点平均粗糙度Rzjis为0.100μm以上至2.000μm以下，和由JIS B0601：2001规定的所述导电性基体的粗糙度曲线要素的平均长度Rsm为1.0μm以上至150.0μm以下。

6.根据权利要求5所述的电子照相感光构件，其中由JIS B0601：2001规定的所述导电性基体的粗糙度曲线要素的平均长度Rsm为1.0μm以上至10.0μm以下，和所述导电性基体的表面形状通过加压模具形成。

7.根据权利要求5所述的电子照相感光构件，其中由JIS B0601：2001规定的所述导电性基体的粗糙度曲线要素的平均长度Rsm为10.0μm以上至30.0μm以下，和所述导电性基体的表面形状通过用车床来工具切削形成。

8.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中在所述表面层中氢原子数(H)与硅原子数(Si)、碳原子数(C)和氢原子数(H)的总和之比(H/(Si+C+H))为0.30以上至0.45以下。

9.一种电子照相设备，该电子照相设备包括根据权利要求1所述的电子照相感光构件。