[发明专利]晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种晶体管形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面上形成有栅极结构；

在所述衬底表面形成含有开口的硬掩膜层，所述硬掩膜层覆盖所述栅极结构的顶部和两侧，所述开口位于栅极结构两侧；

以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述衬底，在栅极结构两侧形成沟槽；

形成填充满所述沟槽的应力层；

在所述应力层表面形成保护层；

去除所述硬掩膜层。

2.依据权利要求1的晶体管形成方法，其特征在于，所述保护层的材料是二氧化硅和氧化锗的组合，或是氧化硅、氧化锗、硅锗氧化物的组合。

3.依据权利要求2的晶体管形成方法，其特征在于，采用快速热氧化工艺形成所述保护层。

4.依据权利要求2的晶体管形成方法，其特征在于，采用炉管氧化工艺形成所述保护层。

5.依据权利要求3或4的晶体管形成方法，其特征在于，形成保护层的工艺的工艺参数是：温度700-1150℃，压强100-800Torr，通入气体为氧气，气体流量为0.1-100slm。

6.依据权利要求5的晶体管形成方法，其特征在于，所述保护层的沉积时间为30-90s。

7.依据权利要求1的晶体管形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为14-20埃。

8.依据权利要求1的晶体管形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料是氮化硅。

9.依据权利要求8的晶体管形成方法，其特征在于，去除所述硬掩膜层的工艺是湿法去除工艺。

10.依据权利要求1的晶体管形成方法，其特征在于，所述应力层的材料是硅锗。

11.依据权利要求10的晶体管形成方法，其特征在于，采用外延工艺形成所述应力层。

12.依据权利要求10的晶体管形成方法，其特征在于，形成应力层的外延工艺所采用的反应气体至少包括含硅气体和含锗气体。

13.依据权利要求12的晶体管形成方法，其特征在于，所述含硅气体包括硅甲烷、硅乙烷或二氯硅甲烷。

14.依据权利要求12的晶体管形成方法，其特征在于，所述含锗气体包括锗烷。

15.一种晶体管，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底表面上形成有栅极结构；

位于栅极两侧的沟槽，以及填充满所述沟槽的应力层；

位于所述应力层表面的保护层。

16.依据权利要求15的晶体管，其特征在于，对于PMOS晶体管，所述应力层的材料是硅锗。

17.依据权利要求15的晶体管，其特征在于，对于NMOS晶体管，所述应力层的材料是碳硅。

18.依据权利要求15的晶体管，其特征在于，所述保护层通过快速热氧化工艺或者炉管氧化工艺形成。

19.依据权利要求15的晶体管，其特征在于，所述保护层的厚度是14-20埃。