[发明专利]一种硅片脱胶清洗方法及其装载板有效
| 申请号： | 201010568321.3 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102486989A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 符云波;冯时;潘懋勋;盛雯婷;宋如来;吕铁铮;张凤鸣 | 申请（专利权）人： | 天威新能源控股有限公司;保定天威集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/00;B28D5/00;B08B3/02 |
| 代理公司： | 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 | 代理人： | 李高峡 |
| 地址： | 610200 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 脱胶 清洗 方法 及其 装载 | ||
1.一种硅片脱胶清洗方法，其特征在于：包括以下步骤：
a.将硅块(3)粘接到有孔道(2)的装载板(1)上；
b.将固化好的硅(3)安装在线切割机上，设置切割零点及切割深度，使切割完成时钢线处在装载板(1)的孔道(2)位置；
c.切割硅块(3)，切割时每次深度至装载板(1)的孔道(2)处；
d.把切割完毕的硅块(3)移到预清洗槽中，安装时装载板(1)在上，硅片在下，把装载板的孔道(2)与水管(5)连接；
e.打开水管阀门，让水进入装载板的孔道(2)，在重力作用下，水沿切割开的缝隙(4)流下，冲开因砂浆作用而两两相粘的硅片，使其自然分离；
f.将清洗完毕的硅片送入下一工序。
2.根据权利要求1所述的硅片脱胶清洗方法，其特征在于：所述步骤b所述的线切割机为多线切割机。
3.根据权利要求1所述的硅片脱胶清洗方法，其特征在于：所述步骤e用水冲洗时间为10分钟。
4.根据权利要求1所述的用于硅片脱胶清洗的装载板，其特征在于：装载板(1)中分布有孔道(2)，水管可与孔道(2)连接。
5.根据权利要求4所述的用于硅片脱胶清洗的装载板，其特征在于：装载板(1)中的孔道(2)横截面面积为15-40mm2，孔道(2)的间距为20-40mm。
6.根据权利要求5所述的用于硅片脱胶清洗的装载板，其特征在于：装载板(1)中的孔道(2)横截面面积为20mm2，孔道(2)的间距为25mm。
7.根据权利要求4或5所述的用于硅片脱胶清洗的装载板，其特征在于：装载板(1)分为上板(11)和下板(12)，其中一块板上有沟槽，上板(11)和下板(12)的连接方式为粘接，粘接在一起后板上的沟槽封闭成孔道(2)。
8.根据权利要求7所述的用于硅片脱胶清洗的装载板，其特征在于：所述沟槽在下板(12)上。
9.根据权利要求8所述的用于硅片脱胶清洗的装载板，其特征在于：上板(11)和下板(12)均为玻璃板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
