[发明专利]提高介质层的均匀性方法有效
| 申请号： | 201010568457.4 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102487001A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/316;C23C16/40;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 介质 均匀 方法 | ||
1.一种提高介质层的均匀性方法，该方法包括：
在半导体器件的硅表面沉积二氧化硅后，采用设置的沉积二氧化硅和后续沉积低介电常数层的两个过渡条件依次沉积第一传导氧化层和第二传导氧化层；
在第二传导氧化层上，沉积低介电常数层，得到介质层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积二氧化硅的过程为：在置入半导体器件的反应腔中采用氧气容量为500标准立方厘米/每分钟sccm及0.5克/每分钟g*m-1的八甲基环化四硅氧烷OMCTS，通入的时间为1秒，所述反应腔的高频为350～450赫兹，低频为350～450赫兹，压力为6～8托。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述设置的第一过渡条件为：
在置入半导体器件的反应腔中采用氧气含量为250sccm及1.5g*m-1的OMCTS，通入的时间为1秒，所述反应腔的高频为350～450赫兹，低频为350～450赫兹，压力为6～8托；
所述设置的第二过渡条件为：
在置入半导体器件的反应腔中采用氧气含量为200sccm及2.5g*m-1的OMCTS，通入的时间为1秒，所述反应腔的高频为350～450赫兹，低频为350～450赫兹，压力为6～8托。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述沉积低介电常数层的过程为：
半导体器件的特征尺寸为0.45英寸，在置入半导体器件的反应腔中采用氧气含量为155sccm及3.2g*m-1的OMCTS，通入的时间为12秒，所述反应腔的高频为350～450赫兹，低频为350～450赫兹，压力为6～8托。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述沉积低介电常数层的过程为：
半导体器件的特征尺寸为0.65英寸，在置入半导体器件的反应腔中采用的氧气含量为160sccm及3.0g*m-1的OMCTS，通入的时间为5秒，反应腔的高频为350～450赫兹，低频为350～450赫兹，压力为6～8托。
6.如权利要求4或5所述的方法，其特征在于，在沉积低介电常数层之前，还包括：
沉积刻蚀停止层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
