[发明专利]互连结构的制造方法

权利要求书

1.一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括：提供插塞；在所述插塞上依次形成阻挡层、低K介质层、硬掩膜低K介质层、氧化层、硬掩膜层和光刻胶层；图形化所述光刻胶层，形成光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜蚀刻所述硬掩膜层，形成位于硬掩膜层中、且位于插塞上的开口；去除光刻胶图形，依次蚀刻所述开口露出的氧化层、硬掩膜低K介质层、低K介质层，直至露出所述阻挡层；去除所述硬掩膜层，所述去除工艺相对于氧化层和硬掩膜低K介质层，对硬掩膜层具有较大的选择比；向所述开口中填充导电材料。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述硬掩膜层的步骤中，所述去除工艺为蚀刻。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜的材料为氮化钛，所述氧化层的材料为正硅酸乙酯，所述去除所述硬掩膜层的步骤包括：通过氯气等离子体去除所述硬掩膜层。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，通过等离子体产生装置生成氯气等离子体。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，向所述等离子体产生装置中通入流量为100～700sccm的氯气，以形成氯气等离子体。

6.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，向所述等离子体产生装置中加载功率为800～1500W的射频信号，以形成氯气等离子体。

7.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述等离子体产生装置中的气压为10～100mtorr，以形成氯气等离子体。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述向开口中填充导电材料的步骤包括：通过电镀方法向开口中填充导电材料。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：在向所述开口中填充导电材料进行清洗，所述进行清洗的步骤包括：通过化学溶液进行湿法清洗。

10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述依次蚀刻所述开口露出的氧化层、硬掩膜低K介质层、低K介质层，直至开口露出所述阻挡层的步骤包括：采用干刻法进行蚀刻。

11.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述插塞上形成硬掩膜层之后，在形成光刻胶层之前，在所述硬掩膜层上形成抗反射层。