[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

提供一基材，其具有一前侧及一背侧；

提供一膜层于该基材的该前侧上，该膜层与该基材具有不同的组成；

控制激光功率及激光脉冲次数，以激光蚀刻出一开口，其贯穿该膜层及该基材前侧的一部分；

填入导电材料至该开口中以形成一通孔；

移除之该基材背侧的一部分该以暴露出该通孔；以及

透过该通孔电性连接一第一元件及一第二元件。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该激光蚀刻为以约1毫瓦至约100千瓦的激光功率进行。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该激光蚀刻进行约1至300次的激光脉冲。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中经激光蚀刻出的该开口包含一锥形轮廓，该锥形轮廓的锥角为约60至90度。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中经激光蚀刻出的该开口的直径为约40至140微米，深度为约10至800微米。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中经激光蚀刻出的该开口的深宽比为约0.25至20。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包含调整激光功率、激光频率及激光脉冲次数以控制该开口的锥角。

8.一种半导体装置，包括：

一第一芯片，具有一第一表面及相对于该第一表面的一第二表面；

多个通孔，由经激光蚀刻该第一芯片的该第一表面的所形成的多个开口所形成；

一第一组重分布导线，电性连接该第一芯片的半导体元件至所述多个通孔；以及

一第二芯片，具有一第一表面及相对于该第一表面的一第二表面，该第二芯片的该第一表面具有接触垫，该第一组重分布导线电性连接该第二芯片的该些接触垫至所述多个通孔。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其中所述多个通孔每个皆贯穿由不同材料所组成的膜层。

10.如权利要求8所述的半导体装置，其中所述多个开口每个皆包含一锥形轮廓，该锥形轮廓的锥角为约60至90度，且该所述多个通孔每个皆具有约40至140微米的直径，及约10至800微米的深度。