[发明专利]晶体管、制造该晶体管的方法及包括该晶体管的电子装置

权利要求书

1.一种晶体管，所述晶体管包括：

沟道层；

源极和漏极，分别接触沟道层的相对的两端；

栅极，与沟道层对应；

栅极绝缘层，位于沟道层和栅极之间；

第一钝化层，覆盖源极、漏极、栅极、栅极绝缘层和沟道层；

第二钝化层，包含氟且位于第一钝化层上。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，沟道层包括氧化物半导体。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其中，氧化物半导体包括ZnO类氧化物。

4.根据权利要求3所述的晶体管，其中，ZnO类氧化物是包括从由铟、铝、镓、钛、锡、锆、铪、钇、钽、铬和它们的组合组成的组中选择的至少一种元素的复合氧化物。

5.根据权利要求1所述的晶体管，其中，第一钝化层包括从由氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、有机层和它们的组合组成的组中选择的至少一种。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其中，第二钝化层包括从由掺杂F的氧化硅层、掺杂F的氮化硅层、掺杂F的氮氧化硅层和它们的组合组成的组中选择的至少一种。

7.根据权利要求1所述的晶体管，其中，第一钝化层具有在至的范围内的厚度。

8.根据权利要求1所述的晶体管，其中，第二钝化层具有在至的范围内的厚度。

9.根据权利要求1所述的晶体管，其中，栅极绝缘层包括从由氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层和高k介电材料层和它们的组合组成的组中选择的至少一层。

10.根据权利要求1所述的晶体管，其中，栅极绝缘层包括从由掺杂F的氧化硅层、掺杂F的氮化硅层、掺杂F的氮氧化硅层和掺杂F的高k介电材料层和它们的组合组成的组中选择的至少一层。

11.根据权利要求1所述的晶体管，其中，栅极在沟道层上方。

12.根据权利要求1所述的晶体管，其中，栅极在沟道层下方。

13.根据权利要求1所述的晶体管，其中，第一钝化层中不包含氟。

14.一种平板显示装置，所述平板显示装置包括根据权利要求1所述的晶体管。

15.一种制造晶体管的方法，所述方法包括的步骤有：

形成沟道层；

形成源极和漏极，所述源极和漏极分别接触沟道层的相对的两端；

形成与沟道层对应的栅极；

在沟道层与栅极之间形成栅极绝缘层；

形成覆盖源极、漏极、栅极、栅极绝缘层和沟道层的第一钝化层；

在第一钝化层上形成包含氟的第二钝化层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，形成沟道层的步骤包括使用氧化物半导体。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，氧化物半导体包括ZnO类氧化物。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，ZnO类氧化物是包括从由铟、铝、镓、钛、锡、锆、铪、钇、钽、铬和它们的组合组成的组中选择的至少一种元素的复合氧化物。

19.根据权利要求15所述的方法，其中，形成第二钝化层的步骤包括利用包括含氟的第一气体的反应气体执行化学气相沉积法。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，含F的第一气体包括从由CF₄、SF₆、CHF₃、F₂、C₂F₆、NF₃和它们的组合组成的组中选择的至少一种。

21.根据权利要求19所述的方法，其中，反应气体还包括含硅的第二气体和含氮的第三气体中的至少一种。

22.根据权利要求21所述的方法，其中，含Si的第二气体包括从由SiF₄、SiH₄、SiH₂和它们的组合组成的组中选择的至少一种。