[发明专利]晶体管、制造该晶体管的方法及包括该晶体管的电子装置

说明书

技术领域

示例实施例涉及一种晶体管、制造该晶体管的方法以及包括该晶体管的电子装置。

背景技术

在电子装置中，晶体管被广泛用作开关器件或驱动器件。具体地讲，由于薄膜晶体管可形成在玻璃基底或塑料基底上，所以薄膜晶体管通常用在平板显示装置(例如，液晶显示装置、有机发光显示装置等)的领域中。

为了提高晶体管的工作性能，执行了使用具有相当高的载流子迁移率的氧化物层作为沟道层的方法。这种方法通常用于制造用于平板显示装置的薄膜晶体管。

然而，在氧化物层作为沟道层的晶体管(氧化物晶体管)中，氧化物层对环境(例如，光或湿气)敏感，因此，晶体管的性能不会持续地维持。

发明内容

示例实施例涉及一种晶体管、制造该晶体管的方法及包括该晶体管的电子装置。

提供了晶体管及制造所述晶体管的方法，抑制了晶体管的性能由于环境(例如，光或湿气)而导致的变化。

本发明的另外方面将在下面的描述中部分地阐明，并且从描述中部分是清楚的，或者通过本发明的实施可以被理解。

根据示例实施例，一种晶体管包括：沟道层，包括氧化物半导体；源极和漏极，分别接触沟道层的两端(或相对的端部)；栅极，与沟道层对应；栅极绝缘层，设置在沟道层和栅极之间；第一钝化层，形成为覆盖源极、漏极、栅极、栅极绝缘层和沟道层；第二钝化层，形成在第一钝化层上且包含氟(F)。

第一钝化层可包括从由氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、有机层和它们的组合组成的组中选择的至少一种。第一钝化层可不包含氟(F)。

第二钝化层可包括从由掺杂F的氧化硅层、掺杂F的氮化硅层、掺杂F的氮氧化硅层和它们的组合组成的组中选择的至少一种。

第一钝化层的厚度可在大约 至大约 的范围内。第二钝化层的厚度可在大约 至大约 的范围内。

氧化物半导体可包括ZnO类氧化物。ZnO类氧化物可为复合氧化物。复合氧化物可包括从由铟(In)、铝(Al)、镓(Ga)、钛(Ti)、锡(Sn)、锆(Zr)、铪(Hf)、钇(Y)、钽(Ta)、铬(Cr)和它们的组合组成的组中选择的至少一种元素。

栅极绝缘层可包括从由氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层和高k介电材料层和它们的组合组成的组中选择的至少一层。

栅极绝缘层可包括从由掺杂F的氧化硅层、掺杂F的氮化硅层、掺杂F的氮氧化硅层和掺杂F的高k介电材料层和它们的组合组成的组中选择的至少一层。栅极可设置在沟道层上方。可选择地，栅极可设置在沟道层下方。

根据示例实施例，电子装置(例如，平板显示装置)包括晶体管。

根据示例实施例，一种制造晶体管的方法包括的步骤有：形成包括氧化物半导体的沟道层；形成源极和漏极，所述源极和漏极分别接触沟道层的两端(相对的端部)；形成与沟道层对应的栅极；形成设置在沟道层与栅极之间的栅极绝缘层；形成第一钝化层以覆盖源极、漏极、栅极、栅极绝缘层和沟道层；在第一钝化层上形成包含氟(F)的第二钝化层。

第一钝化层可形成为不包含氟(F)。

可利用包括含氟(F)的第一气体的反应气体执行化学气相沉积(CVD)来形成第二钝化层。含F的第一气体可包括从由CF₄、SF₆、CHF₃、F₂、C₂F₆、NF₃和它们的组合组成的组中选择的至少一种。反应气体还可包括含硅(Si)的第二气体和含氮(N)的第三气体中的至少一种。含硅(Si)的第二气体可包括从由SiF₄、SiH₄、SiH₂和它们的组合组成的组中选择的至少一种。含氮(N)的第三气体可包括从由NH₃、N₂O、N₂、NO和它们的组合组成的组中选择的至少一种。

含氟(F)的第一气体还可包括Si、N和它们的组合中的至少一种。

氧化物半导体可包括ZnO类氧化物。ZnO类氧化物可为包括从由铟(In)、铝(Al)、镓(Ga)、钛(Ti)、锡(Sn)、锆(Zr)、铪(Hf)、钇(Y)、钽(Ta)、铬(Cr)和它们的组合组成的组中选择的至少一种元素的复合氧化物。

附图说明

通过下面结合附图对实施例进行的描述，本发明的这些和/或其它方面将变得清楚并更容易被理解，其中：

图1是根据示例实施例的晶体管的剖视图；