[发明专利]镀膜件及其制备方法

权利要求书

1.一种镀膜件，其包括基体、形成于基体表面的打底层、形成于打底层表面的梯度膜层及形成于梯度膜层表面的硬质层，其特征在于：该打底层为Ni-Cr合金层，该梯度膜层为Ni-CrC层，该硬质层为Hf-C层。

2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述梯度膜层中C原子的含量由靠近打底层至远离打底层的方向呈梯度增加。

3.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述打底层、梯度膜层及硬质层分别通过磁控溅射镀膜法形成。

4.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述打底层的厚度为100～300nm，所述梯度膜层的厚度为400～500nm，所述硬质层的厚度为500～800nm。

5.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述基体为含有Ni、Cr中至少一种元素的不锈钢。

6.一种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤：

提供基体；

在基体表面形成打底层，该打底层为Ni-Cr合金层；

在打底层的表面形成梯度膜层，该梯度膜层为Ni-CrC层；

在梯度膜层的表面形成硬质层，该硬质层为Hf-C层。

7.如权利要求6所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述形成打底层的步骤采用如下方式实现：采用磁控溅射法，使用Ni-Cr合金靶，Ni-Cr合金靶的电源功率为2～5kw，以氩气为工作气体，氩气流量为200～400sccm，施加于基体的偏压为-100～-300V，加热使基体的温度为100～200℃，镀膜时间为20～60min。

8.如权利要求6所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述形成梯度膜层的步骤采用如下方式实现：采用磁控溅射法，使用Ni-Cr合金靶，Ni-Cr合金靶的电源功率为2～5kw；以氩气为工作气体，氩气流量为300～500sccm，以乙炔为反应气体，设置乙炔气体的初始流量为20～40sccm，在沉积梯度膜层的过程中，每沉积2～5min将乙炔的流量增大15～20sccm，当乙炔的流量到达300sccm时，停止增大乙炔流量；施加于基体的偏压为-100～-300V，基体的温度为100～200℃，镀膜时间为20～60min。

9.如权利要求7或8所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述Ni-Cr合金靶中Ni的质量百分含量为20～80％。

10.如权利要求6所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述形成硬质层的步骤采用如下方式实现：采用磁控溅射法，使用铪靶，以乙炔为反应气体，乙炔流量为30～200sccm，以氩气为工作气体，氩气流量为300～500sccm，施加于基体的偏压为-100～-300V，基体的温度为100～200℃，镀膜时间为30～120min。