[发明专利]镀膜件及其制备方法无效
申请号: | 201010570266.1 | 申请日: | 2010-12-02 |
公开(公告)号: | CN102485939A | 公开(公告)日: | 2012-06-06 |
发明(设计)人: | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;刘咸柱;李聪 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/35 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镀膜 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种镀膜件及其制备方法。
背景技术
过渡金属氮化物、碳化物和碳氮化物具有高硬度、高抗磨损性能和良好的化学稳定性等优异性能。因此,通常将过渡金属氮化物、碳化物和碳氮化物以薄膜的形式镀覆在刀具或模具表面,以此来提高刀具和模具的使用寿命。
但是此类镀膜件的制备过程中,由于硬质膜层与基体间的热膨胀系数相差较大,且不同组分的膜层的成份和结构有明显的变化,膜层间存在不可避免的热应力,晶格匹配带来的内应力,这些应力在薄膜制备完成后往往不能消除,因而膜层与基体结合力较差,薄膜在使用过程中容易发生剥离,从而影响了此类镀膜件的使用寿命及其应用范围。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种有效解决上述问题的镀膜件。
另外,还有必要提供一种制备上述镀膜件的方法。
一种镀膜件,其包括基体、形成于基体表面的打底层、形成于打底层表面的梯度膜层及形成于梯度膜层表面的硬质层,该打底层为Ni-Cr合金层,该梯度膜层为Ni-CrC层,该硬质层为Hf-C层。
一种镀膜件的制备方法,其包括如下步骤:
提供基体;
在基体表面形成打底层,该打底层为Ni-Cr合金层;
在打底层的表面形成梯度膜层,该梯度膜层为Ni-CrC层;
在梯度膜层的表面形成硬质层,该硬质层为Hf-C层。
本发明镀膜件在基体的表面沉积Ni-Cr合金层作为打底层,再在打底层的表面沉积Ni-CrC层作为梯度膜层,再在梯度膜层的表面沉积Hf-C层作为硬质层,膜系逐层过渡较好,膜层之间的结合力较好且膜层内部没有明显的应力产生,这样在施加外力的情况下,所镀的膜层不会因为结合力不佳和/或内部的应力缺陷导致失效,有效地提高了镀膜件的使用寿命,且使镀膜件具有较高的硬度。
附图说明
图1为本发明一较佳实施例镀膜件的剖视图。
主要元件符号说明
镀膜件 10
基体 11
打底层 13
梯度膜层 15
硬质层 17
具体实施方式
请参阅图1,本发明一较佳实施方式镀膜件10包括基体11、形成于基体11表面的打底层13、形成于打底层13表面的梯度膜层15及形成于梯度膜层15表面的硬质层17。
该基体11为含有Ni、Cr中至少一种元素的不锈钢。
该打底层13可以磁控溅射的方式形成。该打底层13为Ni-Cr合金层。该打底层13的厚度可为100~300nm。
该梯度膜层15可以磁控溅射的方式形成。该梯度膜层15为Ni-CrC层。所述梯度膜层15中C原子的含量由靠近打底层13至远离打底层13的方向呈梯度增加。该梯度膜层15的厚度可为400~500nm。
该硬质层17可以磁控溅射的方式形成。该硬质层17为碳化铪(Hf-C)层。该硬质层17的厚度可为500~800nm。
所述打底层13、梯度膜层15和硬质层17的总厚度为1~2μm。
本发明一较佳实施方式的镀膜件10的制备方法,其包括以下步骤:
提供基体11,将基体11放入盛装有无水乙醇及/或丙酮溶液的超声波清洗器中进行震动清洗,以除去基体11表面的杂质和油污。清洗完毕后烘干备用。
对经上述处理后的基体11的表面进行氩气等离子体清洗,以进一步去除基体11表面的油污,以及改善基体11表面与后续涂层的结合力。该等离子体清洗的具体操作及工艺参数为:采用一磁控溅射镀膜机(图未示),将基体11固定于该镀膜机的镀膜室内的转架上,抽真空所述镀膜室至真空度为3.0×10-3Pa,以400~600sccm(标准状态毫升/分钟)的流量向镀膜室内通入纯度为99.999%的氩气,并施加-500~-800V的偏压于基体11,对基体11表面进行等离子体清洗,清洗时间为3~10min。
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